Scaled FerroelectrIc X-bars for AI-driven sensors and actuaTors

Projektinformationen

FIXIT

ID Finanzhilfevereinbarung: 101135398

DOI

10.3030/101135398

EK-Unterschriftsdatum 26 Oktober 2023

Startdatum 1 November 2023

Enddatum 30 April 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 3 855 687,50

EU-Beitrag

€ 3 855 687,50

Koordiniert durch

NAMLAB GGMBH
Germany

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Leistungen

Documents, reports (2)

Initial SPICE model of target FSDs

Initial SPICE model delivery to T5.1

Teaching module prepared

A comprehensive slide set for teaching the PhD students will be compiled in a joint effort by all parnters.

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Project website

Project website established

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (17)

Oxygen Doping in Ferroelectric Wurtzite‐type Al_0.73Sc_0.27N: Improved Leakage and Polarity Control

Autoren: Md Redwanul Islam, Niklas Wolff, Georg Schönweger, Tom‐Niklas Kreutzer, Margaret Brown, Maike Gremmel, Eric S. Ollanescu‐Orendi, Patrik Straňák, Lutz Kirste, Geoff L. Brennecka, Simon Fichtner, Lorenz Kienle
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, Ausgabe 11, 2025, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/AELM.202400874

Weight update in ferroelectric memristors with identical and non-identical pulses

Autoren: Suzanne Lancaster; Maximilien Remillieux; Moritz Engl; Viktor Havel; Cláudia Silva; Xuetao Wang; Thomas Mikolajick; Stefan Slesazeck
Veröffentlicht in: ACS Applied Materials, Ausgabe 16, 2024, ISSN 1944-8244
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/ACSAMI.4C10338

Polarization and domains in wurtzite ferroelectrics: Fundamentals and applications

Autoren: Simon Fichtner, Georg Schönweger, Cheng-Wei Lee, Keisuke Yazawa, Prashun Gorai, Geoff L. Brennecka
Veröffentlicht in: Applied Physics Reviews, Ausgabe 12, 2025, ISSN 1931-9401
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0249265

Ferroelectric Al_1‐xSc_xN Opposite State Retention Model Based on Switching Dynamics

Autoren: Roberto Guido, Maike Gremmel, Thomas Mikolajick, Simon Fichtner, Uwe Schroeder
Veröffentlicht in: Advanced Functional Materials, Ausgabe 35, 2025, ISSN 1616-301X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/ADFM.202421793

Peak Splitting and Bias Fields in Ferroelectric Hafnia Mediated by Interface Charge Effects

Autoren: Moritz Engl, Wassim Hamouda, Ines Häusler, Suzanne Lancaster, Luca Carpentieri, Thomas Mikolajick, Catherine Dubourdieu, Stefan Slesazeck
Veröffentlicht in: ACS Applied Materials & Interfaces, Ausgabe 17, 2025, ISSN 1944-8244
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.48550/ARXIV.2503.11578

Interfacial Polarization Switching in Al _0.92 Sc _0.08 N/GaN Heterostructures Grown by Sputter Epitaxy

Autoren: Niklas Wolff, Georg Schönweger, Md. Redwanul Islam, Ziming Ding, Christian Kübel, Simon Fichtner, Lorenz Kienle
Veröffentlicht in: Advanced Science, Ausgabe 12, 2025, ISSN 2198-3844
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/ADVS.202503827

Nitride Ferroelectric Domain Wall Memory for Next‐Generation Computing

Autoren: Georg Schönweger; Deik Dasenbrook; Niklas Kyoushi; Roberto Guido; Adrian Petraru; Thomas Mikolajick; Uwe Schröder; Hermann Kohlstedt; Simon Fichtner
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, 2025, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley-VCH GmbH
DOI: 10.24406/PUBLICA-6918

Scientific Reports

Autoren: Segatto, Mattia; Lizzit, Daniel; Esseni, David
Veröffentlicht in: Scientific Reports, 2025, ISSN 2045-2322
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/S41598-025-03469-8

Readout Current in HZO-Based Bilayer FTJs: Physical Mechanisms and Design Insight

Autoren: M. Segatto, F. M. Puglisi, F. Driussi, D. Lizzit, L. Carpentieri, S. Slesazeck, T. Mikolajick, D. Esseni
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 73, 2026, ISSN 1557-9646
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/TED.2026.3671219

A Novel Ferroelectric MemCapacitor Enabling Multilevel Operation

Autoren: Lizzit, Daniel; Segatto, Mattia; Esseni, David
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, ISSN 1557-9646
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/TED.2025.3526104

Comparative Study of Switching Dynamics in Ferroelectric-based Capacitors with Different Design Options

Autoren: Driussi, Francesco; Rocco, Enrico; Massarotto, Marco; Lancaster, Suzanne; Slesazeck, Stefan; Mikolajick, Thomas; Esseni, David
Veröffentlicht in: 2025 IEEE 37th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2025, ISSN 2473-2001
Herausgeber: IEEE Xplore Digital Library
DOI: 10.1109/ICMTS63811.2025.11068911

Al _1‐x Sc _x N‐Based Ferroelectric Domain‐Wall Memristors

Autoren: Haidong Lu; Georg Schönweger; Niklas Wolff; Ziming Ding; Adrian Petraru; Isabel Streicher; Hermann Kohlstedt; Christian Kübel; Stefano Leone; Lorenz Kienle; Simon Fichtner; Alexei Gruverman
Veröffentlicht in: Advanced Functional Materials, 2025, ISSN 1616-3028
Herausgeber: Wiley-VCH GmbH
DOI: 10.5445/IR/1000183697

Clarification of the spontaneous polarization direction in crystals with wurtzite structure

Autoren: Simon Fichtner; Mohamed Yassine; Chris G. Van de Walle; Oliver Ambacher
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe Volume 125, Ausgabe 4, 2024, ISSN 1077-3118
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0217301

Electric field-induced domain structures in ferroelectric AlScN thin films

Autoren: Niklas Wolff, Tim Grieb, Georg Schönweger, Florian F. Krause, Isabel Streicher, Stefano Leone, Andreas Rosenauer, Simon Fichtner, Lorenz Kienle
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 137, 2025, ISSN 0021-8979
Herausgeber: AIP Publishing
DOI: 10.1063/5.0244102

Evaluation of Imprint and Multi‐Level Dynamics in Ferroelectric Capacitors

Autoren: Sara Vecchi, Francesco Maria Puglisi, Pascal Appelt, Roberto Guido, Xuetao Wang, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick, Suzanne Lancaster
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, 2024, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley
DOI: 10.1002/aelm.202400204

IEEE Journal of the Electron Devices Society

Autoren: C. Rossi, D. Lizzit, C. V. Dijck, T. L. Phan, C. Dubourdieu and D. Esseni
Veröffentlicht in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, ISSN 2168-6734
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/JEDS.2026

Modelling and Design of Short Channel Ferroelectric FETs with a Metal Interlayer Easing the Multilevel Operation

Autoren: Rossi, Chiara; Lizzit, Daniel; Esseni, David
Veröffentlicht in: 2025 9th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2025, ISSN 2473-2001
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/EDTM61175.2025.11040846

Conference proceedings (3)

Read Current in Ferroelectric Tunnel Junctions: Transient versus DC Contributions and Trap Related Effects

Autoren: Francesco Driussi, Mattia Segatto, Marco Massarotto, Luca Carpentieri, Stefan Slesazeck, David Esseni
Veröffentlicht in: 2026 IEEE 38th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2026
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ICMTS69943.2026.11471657

Nucleation-Limited-Switching Based Compact Models for Hf-Based Ferroelectric Devices and Their Applications in Memory Arrays

Autoren: Chong Peng, Suzanne Lancaster, Luca Carpentieri, Athira Sunil, Thomas Mikolajick, Stefan Slesazeck
Veröffentlicht in: 2025 14th International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies (MOCAST), 2025, ISSN 1557-9646
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/MOCAST65744.2025.11083922

Analysis and Compensation of the Series Resistance Effects on the Characteristics of Ferroelectric Capacitors

Autoren: Marco Massarotto; Francesco Driussi; Mattia Bucovaz; Antonio Affanni; Suzanne Lancaster; Stefan Slesazeck; Thomas Mikolajick; David Esseni
Veröffentlicht in: 2024 IEEE 36th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2024
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ICMTS59902.2024.10520684