Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Información del proyecto

AttoSwitch

Identificador del acuerdo de subvención: 101135571

DOI

10.3030/101135571

Fecha de la firma de la CE 30 Noviembre 2023

Fecha de inicio 1 Enero 2024

Fecha de finalización 30 Junio 2027

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 3 884 248,75

Aportación de la UE

€ 3 884 248,50

Coordinado por

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Italy

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Publicaciones

Conference proceedings (1)

Sub-60mV/dec Swing and Drive Current in Dirac-Source FETs: A Design Study Based on First-Principle Transport Simulations

Autores: D. Nguyen, A. Pilotto, D. Lizzit, M. Pala, D. Esseni
Publicado en: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873385

Peer reviewed articles (5)

Unconventional magnetoresistance and resistivity scaling in amorphous CoSi thin films

Autores: Lorenzo Rocchino, Alan Molinari, Igor Kladaric, Federico Balduini, Heinz Schmid, Marilyne Sousa, John Bruley, Holt Bui, Bernd Gotsmann, Cezar B. Zota
Publicado en: Scientific Reports, Edición 14, 2024, ISSN 2045-2322
Editor: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41598-024-71614-W

"Design guidelines for Gr-MoS<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si4.svg"" display=""inline"" id=""d1e274""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math> based DS-FETs"

Autores: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Publicado en: Solid-State Electronics, Edición 230, 2025, ISSN 0038-1101
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109216

Orientation dependent resistivity scaling in mesoscopic NbP crystals

Autores: Gianluca Mariani, Federico Balduini, Nathan Drucker, Lorenzo Rocchino, Vicky Hasse, Claudia Felser, Heinz Schmid, Cezar Zota, Bernd Gotsmann
Publicado en: Communications Materials, Edición 6, 2025, ISSN 2662-4443
Editor: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S43246-025-00828-W

Transfer-Matrix Modeling of the Access Region Resistance in Graphene Based Dirac-Source FETs

Autores: Erica Baccichetti, David Esseni
Publicado en: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Edición 13, 2025, ISSN 2168-6734
Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2025.3533599

Investigation on the performance limits of Dirac-source FETs

Autores: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Publicado en: Solid-State Electronics, Edición 228, 2025, ISSN 0038-1101
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109124

Book chapters (1)

Semi-analytical Model for the Estimation of the Subthreshold Swing in Dirac-Source FETs

Autores: Tommaso Ugolini, Giorgio Baccarani, Elena Gnani
Publicado en: Lecture Notes in Electrical Engineering, Proceedings of SIE 2024, 2025
Editor: Springer Nature Switzerland
DOI: 10.1007/978-3-031-71518-1_8