Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Projektinformationen

AttoSwitch

ID Finanzhilfevereinbarung: 101135571

DOI

10.3030/101135571

EK-Unterschriftsdatum 30 November 2023

Startdatum 1 Januar 2024

Enddatum 30 Juni 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 3 884 248,75

EU-Beitrag

€ 3 884 248,50

Koordiniert durch

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Italy

CORDIS bietet Links zu öffentlichen Ergebnissen und Veröffentlichungen von HORIZONT-Projekten.

Links zu Ergebnissen und Veröffentlichungen von RP7-Projekten sowie Links zu einigen Typen spezifischer Ergebnisse wie Datensätzen und Software werden dynamisch von OpenAIRE abgerufen.

Veröffentlichungen

Conference proceedings (1)

Sub-60mV/dec Swing and Drive Current in Dirac-Source FETs: A Design Study Based on First-Principle Transport Simulations

Autoren: D. Nguyen, A. Pilotto, D. Lizzit, M. Pala, D. Esseni
Veröffentlicht in: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873385

Peer reviewed articles (5)

Unconventional magnetoresistance and resistivity scaling in amorphous CoSi thin films

Autoren: Lorenzo Rocchino, Alan Molinari, Igor Kladaric, Federico Balduini, Heinz Schmid, Marilyne Sousa, John Bruley, Holt Bui, Bernd Gotsmann, Cezar B. Zota
Veröffentlicht in: Scientific Reports, Ausgabe 14, 2024, ISSN 2045-2322
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41598-024-71614-W

"Design guidelines for Gr-MoS<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si4.svg"" display=""inline"" id=""d1e274""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math> based DS-FETs"

Autoren: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 230, 2025, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109216

Orientation dependent resistivity scaling in mesoscopic NbP crystals

Autoren: Gianluca Mariani, Federico Balduini, Nathan Drucker, Lorenzo Rocchino, Vicky Hasse, Claudia Felser, Heinz Schmid, Cezar Zota, Bernd Gotsmann
Veröffentlicht in: Communications Materials, Ausgabe 6, 2025, ISSN 2662-4443
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S43246-025-00828-W

Transfer-Matrix Modeling of the Access Region Resistance in Graphene Based Dirac-Source FETs

Autoren: Erica Baccichetti, David Esseni
Veröffentlicht in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Ausgabe 13, 2025, ISSN 2168-6734
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2025.3533599

Investigation on the performance limits of Dirac-source FETs

Autoren: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 228, 2025, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109124

Book chapters (1)

Semi-analytical Model for the Estimation of the Subthreshold Swing in Dirac-Source FETs

Autoren: Tommaso Ugolini, Giorgio Baccarani, Elena Gnani
Veröffentlicht in: Lecture Notes in Electrical Engineering, Proceedings of SIE 2024, 2025
Herausgeber: Springer Nature Switzerland
DOI: 10.1007/978-3-031-71518-1_8