Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Informazioni relative al progetto

AttoSwitch

ID dell’accordo di sovvenzione: 101135571

DOI

10.3030/101135571

Data della firma CE 30 Novembre 2023

Data di avvio 1 Gennaio 2024

Data di completamento 30 Giugno 2027

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 3 884 248,75

Contributo UE

€ 3 884 248,50

Coordinato da

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Italy

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Conference proceedings (1)

Sub-60mV/dec Swing and Drive Current in Dirac-Source FETs: A Design Study Based on First-Principle Transport Simulations

Autori: D. Nguyen, A. Pilotto, D. Lizzit, M. Pala, D. Esseni
Pubblicato in: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873385

Peer reviewed articles (5)

Unconventional magnetoresistance and resistivity scaling in amorphous CoSi thin films

Autori: Lorenzo Rocchino, Alan Molinari, Igor Kladaric, Federico Balduini, Heinz Schmid, Marilyne Sousa, John Bruley, Holt Bui, Bernd Gotsmann, Cezar B. Zota
Pubblicato in: Scientific Reports, Numero 14, 2024, ISSN 2045-2322
Editore: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41598-024-71614-W

"Design guidelines for Gr-MoS<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si4.svg"" display=""inline"" id=""d1e274""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math> based DS-FETs"

Autori: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Pubblicato in: Solid-State Electronics, Numero 230, 2025, ISSN 0038-1101
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109216

Orientation dependent resistivity scaling in mesoscopic NbP crystals

Autori: Gianluca Mariani, Federico Balduini, Nathan Drucker, Lorenzo Rocchino, Vicky Hasse, Claudia Felser, Heinz Schmid, Cezar Zota, Bernd Gotsmann
Pubblicato in: Communications Materials, Numero 6, 2025, ISSN 2662-4443
Editore: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S43246-025-00828-W

Transfer-Matrix Modeling of the Access Region Resistance in Graphene Based Dirac-Source FETs

Autori: Erica Baccichetti, David Esseni
Pubblicato in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numero 13, 2025, ISSN 2168-6734
Editore: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2025.3533599

Investigation on the performance limits of Dirac-source FETs

Autori: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Pubblicato in: Solid-State Electronics, Numero 228, 2025, ISSN 0038-1101
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109124

Book chapters (1)

Semi-analytical Model for the Estimation of the Subthreshold Swing in Dirac-Source FETs

Autori: Tommaso Ugolini, Giorgio Baccarani, Elena Gnani
Pubblicato in: Lecture Notes in Electrical Engineering, Proceedings of SIE 2024, 2025
Editore: Springer Nature Switzerland
DOI: 10.1007/978-3-031-71518-1_8