Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Informations projet

AttoSwitch

N° de convention de subvention: 101135571

DOI

10.3030/101135571

Date de signature de la CE 30 Novembre 2023

Date de début 1 Janvier 2024

Date de fin 30 Juin 2027

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 3 884 248,75

Contribution de l’UE

€ 3 884 248,50

Coordonné par

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Italy

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Conference proceedings (1)

Sub-60mV/dec Swing and Drive Current in Dirac-Source FETs: A Design Study Based on First-Principle Transport Simulations

Auteurs: D. Nguyen, A. Pilotto, D. Lizzit, M. Pala, D. Esseni
Publié dans: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873385

Peer reviewed articles (5)

Unconventional magnetoresistance and resistivity scaling in amorphous CoSi thin films

Auteurs: Lorenzo Rocchino, Alan Molinari, Igor Kladaric, Federico Balduini, Heinz Schmid, Marilyne Sousa, John Bruley, Holt Bui, Bernd Gotsmann, Cezar B. Zota
Publié dans: Scientific Reports, Numéro 14, 2024, ISSN 2045-2322
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41598-024-71614-W

"Design guidelines for Gr-MoS<mml:math xmlns:mml=""http://www.w3.org/1998/Math/MathML"" altimg=""si4.svg"" display=""inline"" id=""d1e274""><mml:msub><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:math> based DS-FETs"

Auteurs: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 230, 2025, ISSN 0038-1101
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109216

Orientation dependent resistivity scaling in mesoscopic NbP crystals

Auteurs: Gianluca Mariani, Federico Balduini, Nathan Drucker, Lorenzo Rocchino, Vicky Hasse, Claudia Felser, Heinz Schmid, Cezar Zota, Bernd Gotsmann
Publié dans: Communications Materials, Numéro 6, 2025, ISSN 2662-4443
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S43246-025-00828-W

Transfer-Matrix Modeling of the Access Region Resistance in Graphene Based Dirac-Source FETs

Auteurs: Erica Baccichetti, David Esseni
Publié dans: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numéro 13, 2025, ISSN 2168-6734
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
DOI: 10.1109/JEDS.2025.3533599

Investigation on the performance limits of Dirac-source FETs

Auteurs: Tommaso Ugolini, Elena Gnani
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 228, 2025, ISSN 0038-1101
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.SSE.2025.109124

Book chapters (1)

Semi-analytical Model for the Estimation of the Subthreshold Swing in Dirac-Source FETs

Auteurs: Tommaso Ugolini, Giorgio Baccarani, Elena Gnani
Publié dans: Lecture Notes in Electrical Engineering, Proceedings of SIE 2024, 2025
Éditeur: Springer Nature Switzerland
DOI: 10.1007/978-3-031-71518-1_8