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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Descripción del proyecto

La tecnología de transistores de fuente fría mejorará la eficiencia energética de la electrónica

El rápido crecimiento y la adopción generalizada de las tecnologías de la información y las comunicaciones, junto con el aumento de la dependencia de las mismas, han provocado un incremento de la demanda mundial de energía, y las previsiones indican un nuevo repunte de hasta el 20 % para finales de la década. Las innovaciones en las tecnologías de transistores ofrecen una solución prometedora, ya que podrían aumentar la sostenibilidad y la eficiencia energética de la electrónica. Sin embargo, las tecnologías de semiconductor complementario de óxido metálico en las que se basan están condicionadas por la física de Boltzmann, lo cual limita su tensión de funcionamiento disponible. En el proyecto AttoSwitch, financiado con fondos europeos, se pretende superar este escollo desarrollando una novedosa tecnología de transistores de fuente fría, la cual podría superar los límites de Boltzmann al aprovechar las propiedades físicas intrínsecas de los semimetales de Dirac.

Objetivo

Global energy demand for information and communication technologies may reach up to 20% of total energy by the end of the decade. Innovations on transistor technologies, following Moore’s law, can in part compensate for this rise and improve sustainability by providing more energy-efficient electronics. However, the energy-efficiency of CMOS is limited by the Boltzmann physics, which sets a lower bound on the operating voltage, and thereby the power. To sustain miniaturization, and improved performance of electronics, new transistor technologies are needed that can overcome this limit.

AttoSwitch will develop a novel cold-source transistor technology that uses the intrinsically cold carrier distribution of Dirac semimetals to overcome the Boltzmann limit. The main objective is to develop a scalable Dirac transistor technology based on large-area integration of 2D and 3D Dirac materials, e.g. graphene and CoSi, and the realization of high-performance device demonstrators at technologically relevant length scales. Key demonstrators are based on graphene integrated with MoS2 and WSe2 channels, as well as novel work on 3D Dirac semimetals. Our methodology includes development of device process modules and extensive material and device characterization. Systematic modeling using new simulation frameworks plays a key part to benchmark and provide a road map for the technology. Our ambitious performance targets include a subthreshold swing of 35 mV/decade and a switching energy of 4 attojoule.

The project links to ongoing European efforts, such as the 2D-experimental pilot line, and the goals set by the European Chips Act. AttoSwitch will impact the semiconductor supply chain at the technology and materials levels, and provide ultra-energy-efficient transistors for logic and high-frequency analog integrated chip markets. Outreach to students, training of young researchers and building international cooperation will also support Europe’s competitiveness in semiconductors.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

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Palabras clave

Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).

Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation Actions

Ver todos los proyectos financiados en el marco de este régimen de financiación

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

(se abrirá en una nueva ventana) HORIZON-CL4-2023-DIGITAL-EMERGING-01-CNECT

Ver todos los proyectos financiados en el marco de esta convocatoria

Coordinador

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Aportación neta de la UEn

Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.

€ 30 000,00
Dirección
VIA TOFFANO 2
40125 BOLOGNA
Italia

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Región
Nord-Est Emilia-Romagna Bologna
Tipo de actividad
Research Organisations
Enlaces
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

€ 790 437,50

Participantes (7)

Socios (1)

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