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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Description du projet

Utiliser la technologie des transistors à source froide pour améliorer l’efficacité énergétique de l’électronique

L’adoption rapide et généralisée des technologies de l’information et de la communication, associée à une dépendance croissante, ont considérablement accru la demande mondiale d’énergie, les projections indiquant une nouvelle augmentation pouvant atteindre 20 % d’ici la fin de la décennie. Les innovations dans les technologies des transistors offrent une solution prometteuse, améliorant la durabilité et l’efficacité énergétique dans le secteur de l’électronique. Cependant, les technologies CMOS sur lesquelles elles s’appuient sont limitées par la physique de Boltzmann, qui restreint leur tension de fonctionnement disponible. Le projet AttoSwitch, financé par l’UE, vise à relever ce défi en développant une nouvelle technologie de transistor à source froide capable de dépasser les limites de Boltzmann en tirant parti des propriétés physiques intrinsèques des semi-métaux de Dirac.

Objectif

Global energy demand for information and communication technologies may reach up to 20% of total energy by the end of the decade. Innovations on transistor technologies, following Moore’s law, can in part compensate for this rise and improve sustainability by providing more energy-efficient electronics. However, the energy-efficiency of CMOS is limited by the Boltzmann physics, which sets a lower bound on the operating voltage, and thereby the power. To sustain miniaturization, and improved performance of electronics, new transistor technologies are needed that can overcome this limit.

AttoSwitch will develop a novel cold-source transistor technology that uses the intrinsically cold carrier distribution of Dirac semimetals to overcome the Boltzmann limit. The main objective is to develop a scalable Dirac transistor technology based on large-area integration of 2D and 3D Dirac materials, e.g. graphene and CoSi, and the realization of high-performance device demonstrators at technologically relevant length scales. Key demonstrators are based on graphene integrated with MoS2 and WSe2 channels, as well as novel work on 3D Dirac semimetals. Our methodology includes development of device process modules and extensive material and device characterization. Systematic modeling using new simulation frameworks plays a key part to benchmark and provide a road map for the technology. Our ambitious performance targets include a subthreshold swing of 35 mV/decade and a switching energy of 4 attojoule.

The project links to ongoing European efforts, such as the 2D-experimental pilot line, and the goals set by the European Chips Act. AttoSwitch will impact the semiconductor supply chain at the technology and materials levels, and provide ultra-energy-efficient transistors for logic and high-frequency analog integrated chip markets. Outreach to students, training of young researchers and building international cooperation will also support Europe’s competitiveness in semiconductors.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.

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Mots‑clés

Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).

Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation Actions

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) HORIZON-CL4-2023-DIGITAL-EMERGING-01-CNECT

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Coordinateur

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Contribution nette de l'UE

La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.

€ 30 000,00
Adresse
VIA TOFFANO 2
40125 BOLOGNA
Italie

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Région
Nord-Est Emilia-Romagna Bologna
Type d’activité
Research Organisations
Liens
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

€ 790 437,50

Participants (7)

Partenaires (1)

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