Crystalline Oxides for Next Generation Computing and Emerging Photonic Technologies

Información del proyecto

CONCEPT

Identificador del acuerdo de subvención: 101135946

DOI

10.3030/101135946

Fecha de la firma de la CE 17 Noviembre 2023

Fecha de inicio 1 Enero 2024

Fecha de finalización 31 Diciembre 2027

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 3 888 904,00

Aportación de la UE

€ 3 888 904,00

Coordinado por

UNIVERSITETET I OSLO
Norway

CORDIS proporciona enlaces a los documentos públicos y las publicaciones de los proyectos de los programas marco HORIZONTE.

Los enlaces a los documentos y las publicaciones de los proyectos del Séptimo Programa Marco, así como los enlaces a algunos tipos de resultados específicos, como conjuntos de datos y «software», se obtienen dinámicamente de OpenAIRE .

Resultado final

Documents, reports (3)

BTO process report

D 2.2 (UIO), M12 – Process for direct epitaxy of BTO thin films by ALD.

Data management plan

D 6.1 – Data Management Plan (R – CO, M6, UIO)

First plan for dissemination and exploitation of results (PDER)

D 5.1, M6 – First version of plan for dissemination and exploitation of results website, communication materials etc (PDER)

Publicaciones

Peer reviewed articles (3)

Polarity and anti-distortive polarons in WO3 through epitaxial shear strain

Autores: Ewout van der Veer, Martin F. Sarott, Jack T. Eckstein, Stijn Feringa, Dennis van der Veen, Johanna van Gent González, Majid Ahmadi, Horatio R. J. Cox, Ellen M. Kiens, Gertjan Koster, Bart J. Kooi, Michael A. Carpenter, Ekhard K. H. Salje, Beatriz Noheda
Publicado en: Nature Communications, 2026, ISSN 2041-1723
Editor: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41467-026-75049-X

Integration of Imprint-Free and Low Coercivity Ferroelectric BaTiO ₃ Thin Films on Silicon

Autores: Jingtian Zhao, Majid Ahmadi, Beatriz Noheda, Martin F. Sarott
Publicado en: Nano Letters, Edición 26, 2026, ISSN 1530-6984
Editor: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.NANOLETT.5C05139

Ferroelectric Behavior of Micro- to Submicron-Scale HZO Capacitors: Impact of the Perimeter-to-Area Ratio

Autores: Lucian Trupina, Stefan Neatu, Lucian Pintilie, Lucia Nicoleta Leonat, Stavros Kitsios, Stefania Skorda, Alexandros El Sachat, Polychronis Tsipas, Alexander Flasby,
Publicado en: Advanced Electronic Materials, ISSN 2199-160X
Editor: Wiley-VCH
DOI: 10.1002/AELM.202500879DIGITAL

Conference proceedings (1)

Effect of Capping Layer Under Forming Gas Anneal for Back-End-of-Line Oxide Semiconductor FETs

Autores: Mamidala Saketh Ram, Antonio La Porta, Valeria Bragaglia, Elisa Zaccaria, Donato Falcone, Wooseok Choi, Bert Jan Offrein
Publicado en: 2025 Device Research Conference (DRC), 2025
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/DRC66027.2025.11105753