Crystalline Oxides for Next Generation Computing and Emerging Photonic Technologies

Informazioni relative al progetto

CONCEPT

ID dell’accordo di sovvenzione: 101135946

DOI

10.3030/101135946

Data della firma CE 17 Novembre 2023

Data di avvio 1 Gennaio 2024

Data di completamento 31 Dicembre 2027

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 3 888 904,00

Contributo UE

€ 3 888 904,00

Coordinato da

UNIVERSITETET I OSLO
Norway

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Documents, reports (3)

BTO process report

D 2.2 (UIO), M12 – Process for direct epitaxy of BTO thin films by ALD.

Data management plan

D 6.1 – Data Management Plan (R – CO, M6, UIO)

First plan for dissemination and exploitation of results (PDER)

D 5.1, M6 – First version of plan for dissemination and exploitation of results website, communication materials etc (PDER)

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (3)

Polarity and anti-distortive polarons in WO3 through epitaxial shear strain

Autori: Ewout van der Veer, Martin F. Sarott, Jack T. Eckstein, Stijn Feringa, Dennis van der Veen, Johanna van Gent González, Majid Ahmadi, Horatio R. J. Cox, Ellen M. Kiens, Gertjan Koster, Bart J. Kooi, Michael A. Carpenter, Ekhard K. H. Salje, Beatriz Noheda
Pubblicato in: Nature Communications, 2026, ISSN 2041-1723
Editore: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41467-026-75049-X

Integration of Imprint-Free and Low Coercivity Ferroelectric BaTiO ₃ Thin Films on Silicon

Autori: Jingtian Zhao, Majid Ahmadi, Beatriz Noheda, Martin F. Sarott
Pubblicato in: Nano Letters, Numero 26, 2026, ISSN 1530-6984
Editore: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.NANOLETT.5C05139

Ferroelectric Behavior of Micro- to Submicron-Scale HZO Capacitors: Impact of the Perimeter-to-Area Ratio

Autori: Lucian Trupina, Stefan Neatu, Lucian Pintilie, Lucia Nicoleta Leonat, Stavros Kitsios, Stefania Skorda, Alexandros El Sachat, Polychronis Tsipas, Alexander Flasby,
Pubblicato in: Advanced Electronic Materials, ISSN 2199-160X
Editore: Wiley-VCH
DOI: 10.1002/AELM.202500879DIGITAL

Conference proceedings (1)

Effect of Capping Layer Under Forming Gas Anneal for Back-End-of-Line Oxide Semiconductor FETs

Autori: Mamidala Saketh Ram, Antonio La Porta, Valeria Bragaglia, Elisa Zaccaria, Donato Falcone, Wooseok Choi, Bert Jan Offrein
Pubblicato in: 2025 Device Research Conference (DRC), 2025
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/DRC66027.2025.11105753