Crystalline Oxides for Next Generation Computing and Emerging Photonic Technologies

Projektinformationen

CONCEPT

ID Finanzhilfevereinbarung: 101135946

DOI

10.3030/101135946

EK-Unterschriftsdatum 17 November 2023

Startdatum 1 Januar 2024

Enddatum 31 Dezember 2027

Finanziert unter

• Digital, Industry and Space

Gesamtkosten

€ 3 888 904,00

EU-Beitrag

€ 3 888 904,00

Koordiniert durch

UNIVERSITETET I OSLO
Norway

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Leistungen

Documents, reports (3)

BTO process report

D 2.2 (UIO), M12 – Process for direct epitaxy of BTO thin films by ALD.

Data management plan

D 6.1 – Data Management Plan (R – CO, M6, UIO)

First plan for dissemination and exploitation of results (PDER)

D 5.1, M6 – First version of plan for dissemination and exploitation of results website, communication materials etc (PDER)

Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (3)

Polarity and anti-distortive polarons in WO3 through epitaxial shear strain

Autoren: Ewout van der Veer, Martin F. Sarott, Jack T. Eckstein, Stijn Feringa, Dennis van der Veen, Johanna van Gent González, Majid Ahmadi, Horatio R. J. Cox, Ellen M. Kiens, Gertjan Koster, Bart J. Kooi, Michael A. Carpenter, Ekhard K. H. Salje, Beatriz Noheda
Veröffentlicht in: Nature Communications, 2026, ISSN 2041-1723
Herausgeber: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41467-026-75049-X

Integration of Imprint-Free and Low Coercivity Ferroelectric BaTiO ₃ Thin Films on Silicon

Autoren: Jingtian Zhao, Majid Ahmadi, Beatriz Noheda, Martin F. Sarott
Veröffentlicht in: Nano Letters, Ausgabe 26, 2026, ISSN 1530-6984
Herausgeber: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.NANOLETT.5C05139

Ferroelectric Behavior of Micro- to Submicron-Scale HZO Capacitors: Impact of the Perimeter-to-Area Ratio

Autoren: Lucian Trupina, Stefan Neatu, Lucian Pintilie, Lucia Nicoleta Leonat, Stavros Kitsios, Stefania Skorda, Alexandros El Sachat, Polychronis Tsipas, Alexander Flasby,
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley-VCH
DOI: 10.1002/AELM.202500879DIGITAL

Conference proceedings (1)

Effect of Capping Layer Under Forming Gas Anneal for Back-End-of-Line Oxide Semiconductor FETs

Autoren: Mamidala Saketh Ram, Antonio La Porta, Valeria Bragaglia, Elisa Zaccaria, Donato Falcone, Wooseok Choi, Bert Jan Offrein
Veröffentlicht in: 2025 Device Research Conference (DRC), 2025
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/DRC66027.2025.11105753