Crystalline Oxides for Next Generation Computing and Emerging Photonic Technologies

Informations projet

CONCEPT

N° de convention de subvention: 101135946

DOI

10.3030/101135946

Date de signature de la CE 17 Novembre 2023

Date de début 1 Janvier 2024

Date de fin 31 Decembre 2027

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 3 888 904,00

Contribution de l’UE

€ 3 888 904,00

Coordonné par

UNIVERSITETET I OSLO
Norway

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Documents, reports (3)

BTO process report

D 2.2 (UIO), M12 – Process for direct epitaxy of BTO thin films by ALD.

Data management plan

D 6.1 – Data Management Plan (R – CO, M6, UIO)

First plan for dissemination and exploitation of results (PDER)

D 5.1, M6 – First version of plan for dissemination and exploitation of results website, communication materials etc (PDER)

Publications

Peer reviewed articles (3)

Polarity and anti-distortive polarons in WO3 through epitaxial shear strain

Auteurs: Ewout van der Veer, Martin F. Sarott, Jack T. Eckstein, Stijn Feringa, Dennis van der Veen, Johanna van Gent González, Majid Ahmadi, Horatio R. J. Cox, Ellen M. Kiens, Gertjan Koster, Bart J. Kooi, Michael A. Carpenter, Ekhard K. H. Salje, Beatriz Noheda
Publié dans: Nature Communications, 2026, ISSN 2041-1723
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41467-026-75049-X

Integration of Imprint-Free and Low Coercivity Ferroelectric BaTiO ₃ Thin Films on Silicon

Auteurs: Jingtian Zhao, Majid Ahmadi, Beatriz Noheda, Martin F. Sarott
Publié dans: Nano Letters, Numéro 26, 2026, ISSN 1530-6984
Éditeur: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.NANOLETT.5C05139

Ferroelectric Behavior of Micro- to Submicron-Scale HZO Capacitors: Impact of the Perimeter-to-Area Ratio

Auteurs: Lucian Trupina, Stefan Neatu, Lucian Pintilie, Lucia Nicoleta Leonat, Stavros Kitsios, Stefania Skorda, Alexandros El Sachat, Polychronis Tsipas, Alexander Flasby,
Publié dans: Advanced Electronic Materials, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley-VCH
DOI: 10.1002/AELM.202500879DIGITAL

Conference proceedings (1)

Effect of Capping Layer Under Forming Gas Anneal for Back-End-of-Line Oxide Semiconductor FETs

Auteurs: Mamidala Saketh Ram, Antonio La Porta, Valeria Bragaglia, Elisa Zaccaria, Donato Falcone, Wooseok Choi, Bert Jan Offrein
Publié dans: 2025 Device Research Conference (DRC), 2025
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/DRC66027.2025.11105753