Crystalline Oxides for Next Generation Computing and Emerging Photonic Technologies

Informacje na temat projektu

CONCEPT

Identyfikator umowy o grant: 101135946

DOI

10.3030/101135946

Data podpisania przez KE 17 Listopada 2023

Data rozpoczęcia 1 Stycznia 2024

Data zakończenia 31 Grudnia 2027

Finansowanie w ramach

• Digital, Industry and Space

Koszt całkowity

€ 3 888 904,00

Wkład UE

€ 3 888 904,00

Koordynowany przez

UNIVERSITETET I OSLO
Norway

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Documents, reports (3)

BTO process report

D 2.2 (UIO), M12 – Process for direct epitaxy of BTO thin films by ALD.

Data management plan

D 6.1 – Data Management Plan (R – CO, M6, UIO)

First plan for dissemination and exploitation of results (PDER)

D 5.1, M6 – First version of plan for dissemination and exploitation of results website, communication materials etc (PDER)

Publikacje

Peer reviewed articles (3)

Polarity and anti-distortive polarons in WO3 through epitaxial shear strain

Autorzy: Ewout van der Veer, Martin F. Sarott, Jack T. Eckstein, Stijn Feringa, Dennis van der Veen, Johanna van Gent González, Majid Ahmadi, Horatio R. J. Cox, Ellen M. Kiens, Gertjan Koster, Bart J. Kooi, Michael A. Carpenter, Ekhard K. H. Salje, Beatriz Noheda
Opublikowane w: Nature Communications, 2026, ISSN 2041-1723
Wydawca: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41467-026-75049-X

Integration of Imprint-Free and Low Coercivity Ferroelectric BaTiO ₃ Thin Films on Silicon

Autorzy: Jingtian Zhao, Majid Ahmadi, Beatriz Noheda, Martin F. Sarott
Opublikowane w: Nano Letters, Numer 26, 2026, ISSN 1530-6984
Wydawca: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACS.NANOLETT.5C05139

Ferroelectric Behavior of Micro- to Submicron-Scale HZO Capacitors: Impact of the Perimeter-to-Area Ratio

Autorzy: Lucian Trupina, Stefan Neatu, Lucian Pintilie, Lucia Nicoleta Leonat, Stavros Kitsios, Stefania Skorda, Alexandros El Sachat, Polychronis Tsipas, Alexander Flasby,
Opublikowane w: Advanced Electronic Materials, ISSN 2199-160X
Wydawca: Wiley-VCH
DOI: 10.1002/AELM.202500879DIGITAL

Conference proceedings (1)

Effect of Capping Layer Under Forming Gas Anneal for Back-End-of-Line Oxide Semiconductor FETs

Autorzy: Mamidala Saketh Ram, Antonio La Porta, Valeria Bragaglia, Elisa Zaccaria, Donato Falcone, Wooseok Choi, Bert Jan Offrein
Opublikowane w: 2025 Device Research Conference (DRC), 2025
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/DRC66027.2025.11105753