Descripción del proyecto
Resolver los retos de la miniaturización
A medida que disminuye el tamaño de los dispositivos electrónicos, crece la demanda de transistores de efecto de campo (FET, por sus siglas en inglés) eficientes y sin silicio. Sin embargo, además de las consideraciones térmicas tradicionales, estos dispositivos se enfrentan al reto de mantener su rendimiento bajo tensión mecánica. La incapacidad de predecir con exactitud los efectos de dicha tensión dificulta el desarrollo de modelos fiables para los FET que no son de silicio. Con el apoyo de las acciones Marie Skłodowska-Curie, el equipo del proyecto MINDSET es pionero en la integración de la tensión mecánica hasta niveles de GPa con la caracterización eléctrica y el calentamiento en chip. Profundizando en multitud de características eléctricas, físicas y de fiabilidad, el equipo de MINDSET pretende crear modelos calibrados con precisión para predecir los efectos del estrés en la tecnología (SET, por sus siglas en inglés). En conjunto, el equipo del proyecto ofrece una vía prometedora para desentrañar la intrincada dinámica que conforma los FET sin silicio.
Objetivo
This project aims to imply the co-integrated externally applied Mechanical Stress (MS) up to GPa levels by nanoindentation with electrical characterization setup and on-chip heating capability to study the properties of Non-silicon Devices (ND), specifically two-dimensional Transition metal dichalcogenides (2D TMD) and indium gallium zinc oxide (IGZO) based devices to explore the multitudinous electrical, physical, and reliability characteristics and creating accurately-calibrated models to predict the Stress Effects on Technology (SET). The project encompasses three objectives, which are further subdivided into five work packages (WPs) for easy flow and achievement of the goal. The first objective is to Integrate non-silicon FETs with an on-chip heating to Co-integrated electro-mechanical setup. The first objective paves the way to lead us to our second objective, in which the Dual Assessment with Electro-mechanical and Reliability Characterization of 2D TMD and IGZO FETs with MS and heating is performed. Finally, to corroborate the understanding and the physics of devices, accurate modelling and simulation will be performed in the third objective using the finite element method (FEM) and technology computer-aided design (TCAD), which will be calibrated with experimental data as obtained in the second objective. This project will be valuable for gaining insights into the factors that influence the behaviour of non-silicon-based FETs, including an additional factor like mechanical stress in addition to heating.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural.
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural.
- ciencias naturalesciencias químicasquímica inorgánicametales de transición
- ciencias naturalesciencias químicasquímica inorgánicametales de postransición
Para utilizar esta función, debe iniciar sesión o registrarse
Palabras clave
Programa(s)
- HORIZON.1.2 - Marie Skłodowska-Curie Actions (MSCA) Main Programme
Régimen de financiación
HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European FellowshipsCoordinador
3001 Leuven
Bélgica