Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Mechanical Impact on Non-silicon Devices: Stress Effects on Technology

Opis projektu

Rozwiązywanie problemów związanych z miniaturyzacją

Drugą stroną procesu zmierzającego do miniaturyzacji urządzeń elektronicznych jest wzrost zapotrzebowania na wydajne tranzystory polowe (FET), które nie są oparte na krzemie. Jednak produkcja tych urządzeń stoi przed wyzwaniami związanymi z utrzymaniem wydajności w warunkach przeciążeń mechanicznych, nie wspominając o tradycyjnych problemach związanych z temperaturą. Niemożność dokładnego przewidzenia skutków takich przeciążeń utrudnia stworzenie wiarygodnych modeli dla niekrzemowych tranzystorów polowych. Wspierany w ramach działań „Maria Skłodowska-Curie” (MSCA) projekt MINDSET to pionierska inicjatywa mająca na celu integrację przeciążeń mechanicznych do poziomu GPa z charakterystyką elektryczną i ogrzewaniem na chipie. Dogłębnie analizując liczne właściwości elektryczne, fizyczne i związane z niezakłóconym działaniem, zespół projektu MINDSET ma na celu stworzenie dokładnie skalibrowanych modeli umożliwiających przewidywanie wpływu przeciążeń na technologię (ang. Stress Effects on Technology, SET). W szerszej perspektywie projekt oferuje obiecującą drogę do wyjaśnienia złożonej dynamiki kształtującej niekrzemowe tranzystory FET.

Cel

This project aims to imply the co-integrated externally applied Mechanical Stress (MS) up to GPa levels by nanoindentation with electrical characterization setup and on-chip heating capability to study the properties of Non-silicon Devices (ND), specifically two-dimensional Transition metal dichalcogenides (2D TMD) and indium gallium zinc oxide (IGZO) based devices to explore the multitudinous electrical, physical, and reliability characteristics and creating accurately-calibrated models to predict the Stress Effects on Technology (SET). The project encompasses three objectives, which are further subdivided into five work packages (WPs) for easy flow and achievement of the goal. The first objective is to Integrate non-silicon FETs with an on-chip heating to Co-integrated electro-mechanical setup. The first objective paves the way to lead us to our second objective, in which the Dual Assessment with Electro-mechanical and Reliability Characterization of 2D TMD and IGZO FETs with MS and heating is performed. Finally, to corroborate the understanding and the physics of devices, accurate modelling and simulation will be performed in the third objective using the finite element method (FEM) and technology computer-aided design (TCAD), which will be calibrated with experimental data as obtained in the second objective. This project will be valuable for gaining insights into the factors that influence the behaviour of non-silicon-based FETs, including an additional factor like mechanical stress in addition to heating.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Słowa kluczowe

Program(-y)

Temat(-y)

System finansowania

HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European Fellowships

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu finansowania

Zaproszenie do składania wniosków

(odnośnik otworzy się w nowym oknie) HORIZON-MSCA-2023-PF-01

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego zaproszenia

Koordynator

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Wkład UE netto
€ 175 920,00
Koszt całkowity
Brak danych