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Mechanical Impact on Non-silicon Devices: Stress Effects on Technology

Description du projet

Relever les défis de la miniaturisation

La réduction de la taille des appareils électroniques entraîne une augmentation de la demande de transistors à effet de champ (FET pour «Field-Effect Transistors») efficaces et sans silicium. Or, ces dispositifs sont confrontés à des défis en matière de maintien des performances sous contrainte mécanique, en plus des considérations thermiques traditionnelles. L’incapacité à prédire avec précision les effets de ces contraintes entrave le développement de modèles fiables pour les transistors à effet de champ sans silicium. Soutenu par le programme Actions Marie Skłodowska-Curie (MSCA), le projet MINDSET est pionnier dans l’intégration de la contrainte mécanique jusqu’à des niveaux GPa avec caractérisation électrique et chauffage sur puce. En examinant une multitude de caractéristiques électriques, physiques et de fiabilité, MINDSET vise à créer des modèles calibrés avec précision pour prédire les effets du stress sur la technologie (SET pour «Stress Effects on Technology»). Dans l’ensemble, le projet offre une voie prometteuse pour élucider les dynamiques complexes qui façonnent les transistors à effet de champ sans silicium.

Objectif

This project aims to imply the co-integrated externally applied Mechanical Stress (MS) up to GPa levels by nanoindentation with electrical characterization setup and on-chip heating capability to study the properties of Non-silicon Devices (ND), specifically two-dimensional Transition metal dichalcogenides (2D TMD) and indium gallium zinc oxide (IGZO) based devices to explore the multitudinous electrical, physical, and reliability characteristics and creating accurately-calibrated models to predict the Stress Effects on Technology (SET). The project encompasses three objectives, which are further subdivided into five work packages (WPs) for easy flow and achievement of the goal. The first objective is to Integrate non-silicon FETs with an on-chip heating to Co-integrated electro-mechanical setup. The first objective paves the way to lead us to our second objective, in which the Dual Assessment with Electro-mechanical and Reliability Characterization of 2D TMD and IGZO FETs with MS and heating is performed. Finally, to corroborate the understanding and the physics of devices, accurate modelling and simulation will be performed in the third objective using the finite element method (FEM) and technology computer-aided design (TCAD), which will be calibrated with experimental data as obtained in the second objective. This project will be valuable for gaining insights into the factors that influence the behaviour of non-silicon-based FETs, including an additional factor like mechanical stress in addition to heating.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Coordinateur

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contribution nette de l'UE
€ 175 920,00
Coût total
Aucune donnée