Descrizione del progetto
Risolvere le sfide della miniaturizzazione
Con la riduzione delle dimensioni dei dispositivi elettronici, cresce la domanda di transistor a effetto di campo (FET) efficienti e non basati sul silicio. Tuttavia, questi dispositivi devono affrontare sfide per mantenere le prestazioni sotto stress meccanico, oltre alle tradizionali considerazioni termiche. L’impossibilità di prevedere con precisione gli effetti di tali sollecitazioni ostacola lo sviluppo di modelli affidabili per FET non in silicio. Con il sostegno del programma di azioni Marie Skłodowska-Curie (MSCA), il progetto MINDSET è all’avanguardia nell’integrazione di sollecitazioni meccaniche fino a livelli di GPa con la caratterizzazione elettrica e il riscaldamento su chip. Approfondendo le numerose caratteristiche elettriche, fisiche e di affidabilità, MINDSET mira a creare modelli accuratamente calibrati per prevedere gli effetti dello stress sulla tecnologia. Nel complesso, il progetto offre una strada promettente per svelare le intricate dinamiche che danno forma ai FET non in silicio.
Obiettivo
This project aims to imply the co-integrated externally applied Mechanical Stress (MS) up to GPa levels by nanoindentation with electrical characterization setup and on-chip heating capability to study the properties of Non-silicon Devices (ND), specifically two-dimensional Transition metal dichalcogenides (2D TMD) and indium gallium zinc oxide (IGZO) based devices to explore the multitudinous electrical, physical, and reliability characteristics and creating accurately-calibrated models to predict the Stress Effects on Technology (SET). The project encompasses three objectives, which are further subdivided into five work packages (WPs) for easy flow and achievement of the goal. The first objective is to Integrate non-silicon FETs with an on-chip heating to Co-integrated electro-mechanical setup. The first objective paves the way to lead us to our second objective, in which the Dual Assessment with Electro-mechanical and Reliability Characterization of 2D TMD and IGZO FETs with MS and heating is performed. Finally, to corroborate the understanding and the physics of devices, accurate modelling and simulation will be performed in the third objective using the finite element method (FEM) and technology computer-aided design (TCAD), which will be calibrated with experimental data as obtained in the second objective. This project will be valuable for gaining insights into the factors that influence the behaviour of non-silicon-based FETs, including an additional factor like mechanical stress in addition to heating.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
- scienze naturaliscienze chimichechimica inorganicametalli di transizione
- scienze naturaliscienze chimichechimica inorganicametalli di post-transizione
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Parole chiave
Programma(i)
- HORIZON.1.2 - Marie Skłodowska-Curie Actions (MSCA) Main Programme
Invito a presentare proposte
(si apre in una nuova finestra) HORIZON-MSCA-2023-PF-01
Vedi altri progetti per questo bandoMeccanismo di finanziamento
HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European FellowshipsCoordinatore
3001 Leuven
Belgio