Skip to main content
Weiter zur Homepage der Europäischen Kommission (öffnet in neuem Fenster)
Deutsch de
CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS

Mechanical Impact on Non-silicon Devices: Stress Effects on Technology

Projektbeschreibung

Lösungen für die Herausforderungen der Miniaturisierung

Da elektronische Bauelemente immer kleiner werden, steigt die Nachfrage nach effizienten nichtsiliziumbasierten Feldeffekttransistoren (FET). Bei diesen Bauelementen besteht jedoch die Herausforderung, zusätzlich zu den traditionellen Überlegungen in Bezug auf die Wärmeproblematik ihre Leistung unter mechanischer Belastung aufrechtzuerhalten. Da die Auswirkungen einer solchen Belastung nur schwer genau vorherzusagen sind, wird die Entwicklung zuverlässiger Modelle für nichtsiliziumbasierte Feldeffekttransistoren behindert. Das Team des im Rahmen der Marie-Skłodowska-Curie-Maßnahmen unterstützten Projekts MINDSET leistet Pionierarbeit bei der Integration von mechanischer Belastung bis zu GPa-Werten mit elektrischer Charakterisierung und Erwärmung innerhalb des Chips. Durch die Untersuchung zahlreicher elektrischer, physikalischer und die Zuverlässigkeit betreffender Eigenschaften wird innerhalb von MINDSET darauf abgezielt, genau kalibrierte Modelle zur Vorhersage der Auswirkungen von Belastungen auf die Technologie zu erstellen. Insgesamt bietet das Projekt einen vielversprechenden Weg, um die komplizierte Dynamik nichtsiliziumbasierter Feldeffekttransistoren zu entschlüsseln.

Ziel

This project aims to imply the co-integrated externally applied Mechanical Stress (MS) up to GPa levels by nanoindentation with electrical characterization setup and on-chip heating capability to study the properties of Non-silicon Devices (ND), specifically two-dimensional Transition metal dichalcogenides (2D TMD) and indium gallium zinc oxide (IGZO) based devices to explore the multitudinous electrical, physical, and reliability characteristics and creating accurately-calibrated models to predict the Stress Effects on Technology (SET). The project encompasses three objectives, which are further subdivided into five work packages (WPs) for easy flow and achievement of the goal. The first objective is to Integrate non-silicon FETs with an on-chip heating to Co-integrated electro-mechanical setup. The first objective paves the way to lead us to our second objective, in which the Dual Assessment with Electro-mechanical and Reliability Characterization of 2D TMD and IGZO FETs with MS and heating is performed. Finally, to corroborate the understanding and the physics of devices, accurate modelling and simulation will be performed in the third objective using the finite element method (FEM) and technology computer-aided design (TCAD), which will be calibrated with experimental data as obtained in the second objective. This project will be valuable for gaining insights into the factors that influence the behaviour of non-silicon-based FETs, including an additional factor like mechanical stress in addition to heating.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

Schlüsselbegriffe

Programm/Programme

Thema/Themen

Finanzierungsplan

HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European Fellowships

Alle im Rahmen dieses Finanzierungsinstruments finanzierten Projekte anzeigen

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

(öffnet in neuem Fenster) HORIZON-MSCA-2023-PF-01

Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigen

Koordinator

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Netto-EU-Beitrag
€ 175 920,00
Adresse
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgien
Region
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Aktivitätstyp
Research Organisations
Links
Gesamtkosten
Keine Daten