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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Full qualification, testing and commercial deployment of a unique on-chip memory technology offering the highest-density embedded memory in a standard CMOS process

Descripción del proyecto

La solución de memoria en chip de mayor densidad en semiconductor complementario de óxido metálico estándar

Los chips modernos requieren cada vez más memoria en el chip, sobre todo para aplicaciones de inteligencia artificial y aprendizaje automático. En consecuencia, la memoria en chip domina la superficie de los chips modernos, ocupando a menudo el 75 % del silicio del chip. La actual memoria en chip se basa en la tecnología de memoria estática de acceso aleatorio (SRAM), que requiere de seis a ocho transistores para almacenar un solo bit de datos. La pyme israelí RAAAM ha desarrollado una tecnología única de memoria en chip (GCRAM), totalmente compatible con la lógica semiconductor complementario de óxido metálico y que solo requiere tres transistores para almacenar un bit de datos, lo cual ofrece una reducción de superficie de hasta el 50 % y una eficiencia energética hasta 10 veces superior a la SRAM. El proyecto GCRAM, financiado por el Consejo Europeo de Innovación, tiene por objetivo cualificar plenamente la tecnología GCRAM y allanar el camino hacia la producción en serie.

Objetivo

The Memory Bottleneck has become a major concern in modern Systems-on-a-Chip and hence, the size of on-chip embedded memory continues to increase, already reaching up to 75% of the total SoC real estate. However, the industry standard SRAM technology is very area-inefficient and has been facing major scaling difficulties in modern process technologies (beyond 10nm).
RAAAM’s Gain-Cell Random Access Memory (GCRAM) technology is a unique on-chip memory solution that only requires 2-3 transistors to store a bit of data, as opposed to 6-8 transistors needed for the existing SRAM-based highest-density memory technology. The solution is area efficient, cost-effective and can be manufactured using the standard CMOS process. Having successfully tested the technology in various nodes ranging from 180nm-16nm, RAAAM currently aims to develop, fabricate, and characterize the proposed memory technology for nodes ≤5nm and to fully qualify it for production according to industry standards

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véase: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Coordinador

RAAAM MEMORY TECHNOLOGIES LTD
Aportación neta de la UEn
€ 2 499 999,00
Dirección
3 SHACHAM
4951703 PETACH TIKVA
Israel

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Pyme

Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.

Tipo de actividad
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Enlaces
Coste total
Sin datos