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Full qualification, testing and commercial deployment of a unique on-chip memory technology offering the highest-density embedded memory in a standard CMOS process

Description du projet

Solution de mémoire sur puce de la plus haute densité en CMOS standard

Les puces modernes nécessitent des quantités toujours plus importantes de mémoire sur puce, en particulier pour les applications d’IA et de ML. En conséquence, la mémoire domine la surface des puces modernes, occupant souvent 75 % du silicium. La mémoire sur puce actuelle repose sur la technologie de la mémoire vive statique (SRAM pour «static random access memory»), qui nécessite six à huit transistors pour stocker un seul bit de données. La PME israélienne RAAAM a mis au point une technologie unique de mémoire sur puce (GCRAM), qui est entièrement compatible avec la logique CMOS et ne nécessite que trois transistors pour stocker un bit de données, ce qui permet de réduire la surface de 50 % et d’obtenir une efficacité énergétique 10 fois supérieure à celle de la SRAM. Le projet GCRAM, financé par le CEI, vise à caractériser complètement la technologie GCRAM et à ouvrir la voie à la production en masse.

Objectif

The Memory Bottleneck has become a major concern in modern Systems-on-a-Chip and hence, the size of on-chip embedded memory continues to increase, already reaching up to 75% of the total SoC real estate. However, the industry standard SRAM technology is very area-inefficient and has been facing major scaling difficulties in modern process technologies (beyond 10nm).
RAAAM’s Gain-Cell Random Access Memory (GCRAM) technology is a unique on-chip memory solution that only requires 2-3 transistors to store a bit of data, as opposed to 6-8 transistors needed for the existing SRAM-based highest-density memory technology. The solution is area efficient, cost-effective and can be manufactured using the standard CMOS process. Having successfully tested the technology in various nodes ranging from 180nm-16nm, RAAAM currently aims to develop, fabricate, and characterize the proposed memory technology for nodes ≤5nm and to fully qualify it for production according to industry standards

Champ scientifique (EuroSciVoc)

Ce projet n'a pas encore été classé par EuroSciVoc.
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Mots‑clés

Programme(s)

Thème(s)

Régime de financement

HORIZON-EIC-ACC - HORIZON EIC Accelerator

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) HORIZON-EIC-2024-ACCELERATOR-02

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Coordinateur

RAAAM MEMORY TECHNOLOGIES LTD
Contribution nette de l'UE
€ 2 499 999,00
Adresse
3 SHACHAM
4951703 PETACH TIKVA
Israël
PME
Oui
Type d’activité
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Liens
Coût total
Aucune donnée