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Full qualification, testing and commercial deployment of a unique on-chip memory technology offering the highest-density embedded memory in a standard CMOS process

Descrizione del progetto

Soluzione di memoria su chip a più alta densità in standard CMOS

I chip moderni richiedono quantità sempre maggiori di memoria su chip, in particolare per le applicazioni di IA e ML. Di conseguenza, la memoria su chip domina l’area dei chip moderni, occupando spesso il 75 % del silicio del chip stesso. L’attuale memoria su chip si basa sulla tecnologia della memoria statica ad accesso casuale (SRAM), che richiede da sei a otto transistor per memorizzare un singolo bit di dati. La PMI israeliana RAAAM ha sviluppato una tecnologia di memoria su chip unica nel suo genere (GCRAM), che è completamente compatibile con la logica CMOS e richiede solo tre transistor per memorizzare un bit di dati, offrendo una riduzione dell’area fino al 50 % e un’efficienza energetica fino a 10 volte superiore rispetto alla SRAM. Il progetto GCRAM, finanziato dal CEI, si propone di qualificare completamente la tecnologia GCRAM e di aprire la strada alla produzione di massa.

Obiettivo

The Memory Bottleneck has become a major concern in modern Systems-on-a-Chip and hence, the size of on-chip embedded memory continues to increase, already reaching up to 75% of the total SoC real estate. However, the industry standard SRAM technology is very area-inefficient and has been facing major scaling difficulties in modern process technologies (beyond 10nm).
RAAAM’s Gain-Cell Random Access Memory (GCRAM) technology is a unique on-chip memory solution that only requires 2-3 transistors to store a bit of data, as opposed to 6-8 transistors needed for the existing SRAM-based highest-density memory technology. The solution is area efficient, cost-effective and can be manufactured using the standard CMOS process. Having successfully tested the technology in various nodes ranging from 180nm-16nm, RAAAM currently aims to develop, fabricate, and characterize the proposed memory technology for nodes ≤5nm and to fully qualify it for production according to industry standards

Campo scientifico (EuroSciVoc)

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Parole chiave

Programma(i)

Argomento(i)

Meccanismo di finanziamento

HORIZON-EIC-ACC - HORIZON EIC Accelerator

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

(si apre in una nuova finestra) HORIZON-EIC-2024-ACCELERATOR-02

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

RAAAM MEMORY TECHNOLOGIES LTD
Contributo netto dell'UE
€ 2 499 999,00
Indirizzo
3 SHACHAM
4951703 PETACH TIKVA
Israele
PMI
Sì
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale
Nessun dato