Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski pl
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Full qualification, testing and commercial deployment of a unique on-chip memory technology offering the highest-density embedded memory in a standard CMOS process

Opis projektu

Pamięć o najwyższej gęstości w standardowej technologii CMOS

Nowoczesne układy wymagają coraz większej ilości pamięci wbudowanej, szczególnie w przypadku zastosowań SI i ML. W rezultacie pamięć wbudowana zdominowała powierzchnię nowoczesnych chipów, często zajmując 75% krzemowego układu scalonego. Dzisiejsza pamięć wbudowana opiera się na technologii statycznej pamięci o dostępie swobodnym (SRAM), która wymaga zastosowania od sześciu do ośmiu tranzystorów do przechowywania pojedynczego bitu danych. Izraelska firma SME RAAAM opracowała unikatową technologię pamięci wbudowanej (GCRAM), która jest w pełni kompatybilna z logiką CMOS i wymaga tylko trzech tranzystorów do przechowywania bitu danych, oferując do 50% redukcję powierzchni i do 10x lepszą efektywność energetyczną w porównaniu do pamięci SRAM. Finansowany przez EIC projekt GCRAM ma na celu przeprowadzenie pełnej kwalifikacji technologii GCRAM i utorowanie drogi do masowej produkcji.

Cel

The Memory Bottleneck has become a major concern in modern Systems-on-a-Chip and hence, the size of on-chip embedded memory continues to increase, already reaching up to 75% of the total SoC real estate. However, the industry standard SRAM technology is very area-inefficient and has been facing major scaling difficulties in modern process technologies (beyond 10nm).
RAAAM’s Gain-Cell Random Access Memory (GCRAM) technology is a unique on-chip memory solution that only requires 2-3 transistors to store a bit of data, as opposed to 6-8 transistors needed for the existing SRAM-based highest-density memory technology. The solution is area efficient, cost-effective and can be manufactured using the standard CMOS process. Having successfully tested the technology in various nodes ranging from 180nm-16nm, RAAAM currently aims to develop, fabricate, and characterize the proposed memory technology for nodes ≤5nm and to fully qualify it for production according to industry standards

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Projekt nie został jeszcze sklasyfikowany według klasyfikacji EuroSciVoc.
Wskaż dziedziny nauki, które twoim zdaniem są najbardziej istotne z punktu widzenia tego projektu i pomóż nam usprawnić naszą usługę klasyfikacji.

Słowa kluczowe

Program(-y)

Temat(-y)

System finansowania

HORIZON-EIC-ACC - HORIZON EIC Accelerator

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu finansowania

Zaproszenie do składania wniosków

(odnośnik otworzy się w nowym oknie) HORIZON-EIC-2024-ACCELERATOR-02

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego zaproszenia

Koordynator

RAAAM MEMORY TECHNOLOGIES LTD
Wkład UE netto
€ 2 499 999,00
Adres
3 SHACHAM
4951703 PETACH TIKVA
Izrael
MŚP
Tak
Rodzaj działalności
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Linki
Koszt całkowity
Brak danych