Vision transformers with ferroelectric oxides

Informazioni relative al progetto

ViTFOX

ID dell’accordo di sovvenzione: 101194368

DOI

10.3030/101194368

Data della firma CE 17 Ottobre 2024

Data di avvio 1 Ottobre 2024

Data di completamento 30 Settembre 2027

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 1 489 199,25

Contributo UE

€ 1 489 199,25

Coordinato da

"NATIONAL CENTER FOR SCIENTIFIC RESEARCH ""DEMOKRITOS"""
Greece

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Pubblicazioni

Peer reviewed articles (6)

HfO₂-based ferroelectric synaptic devices: challenges and engineering solutions

Autori: Taegyu Kwon, Hyeong Seok Choi, Dong Hyun Lee, Dong Hee Han, Yong Hyeon Cho, Intak Jeon, Chang Hwa Jung, Hanjin Lim, Taehwan Moon, Min Hyuk Park
Pubblicato in: Chemical Communications, Numero 61, 2025, ISSN 1359-7345
Editore: Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI: 10.1039/D4CC05293E

Enhancement of electrical properties of morphotropic phase boundary in Hf1-xZrxO2 films by integrating Mo electrode and TiN interlayer for DRAM capacitors

Autori: Ju Yong Park, Hyojun Choi, Jaewook Lee, Kun Yang, Sun Young Lee, Dong In Han, Intak Jeon, Chang Hwa Jung, Hanjin Lim, Woongkyu Lee, Min Hyuk Park
Pubblicato in: Applied Surface Science Advances, Numero 27, 2025, ISSN 2666-5239
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.APSADV.2025.100733

Temperature-Dependent {111}-Texture Transfer to Hf_0.5Zr_0.5O₂ Films from {111}-Textured TiN Electrode and Its Impact on Ferroelectricity

Autori: Dong Hee Han, Seung Yeon Kim, Hyun Woo Jeong, Younghwan Lee, Young Yong Kim, Woojin Jeon, Min Hyuk Park
Pubblicato in: ACS Applied Materials & Interfaces, Numero 17, 2025, ISSN 1944-8244
Editore: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACSAMI.4C17978

Optimizing Reliability: Suppressing Wake-Up Effects in Morphotropic Phase Boundary-Engineered Hf_<i>x</i>Zr_1–<i>x</i>O₂ Ferroelectrics

Autori: Changhyeon Han, Been Kwak, Joonhyeok Choi, Woojung Jeong, Rino Choi, Daewoong Kwon
Pubblicato in: ACS Applied Electronic Materials, Numero 7, 2025, ISSN 2637-6113
Editore: American Chemical Society (ACS)
DOI: 10.1021/ACSAELM.5C00687

Binary-Weighted Neural Networks Using FeRAM Array for Low-Power AI Computing

Autori: Seung-Myeong Cho, Jaesung Lee, Hyejin Jo, Dai Yun, Jihwan Moon, Kyeong-Sik Min
Pubblicato in: Nanomaterials, Numero 15, 2025, ISSN 2079-4991
Editore: MDPI AG
DOI: 10.3390/NANO15151166

Ferroelectric NAND for efficient hardware bayesian neural networks

Autori: Minsuk Song, Ryun-Han Koo, Jangsaeng Kim, Chang-Hyeon Han, Jiyong Yim, Jonghyun Ko, Sijung Yoo, Duk-hyun Choe, Sangwook Kim, Wonjun Shin, Daewoong Kwon
Pubblicato in: Nature Communications, Numero 16, 2025, ISSN 2041-1723
Editore: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41467-025-61980-Y

Conference proceedings (1)

Concurrent Electrical Characterization of Heterogeneously Integrated Vanadium Oxide and Hafnium Oxide

Autori: Anwesha Panda, Alexander Flasby, Yanming Zhang, Simon Mellaerts, Wei-Fan Hsu, Jean-Pierre Locquet, Laura Bégon-Lours
Pubblicato in: 2025 IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF), 2025
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/ISAF61233.2025.11235064