Projektbeschreibung
Lösung des Kupferengpasses bei Siliziumchips
Mit der Miniaturisierung der Transistoren können Kupferdrähte im Inneren der Siliziumchips kaum noch mithalten. Diese Drähte, sogenannte Verbindungsleitungen, übertragen Signale zwischen den Komponenten. Im Nanobereich steigt ihr elektrischer Widerstand. Diese Veränderung führt zur Verlangsamung der Schaltkreise sowie Leistungsverlusten in Form von Wärme. Der sich daraus ergebende Engpass gefährdet die Zukunft fortschrittlicher Computertechnologie. Das vom EIC finanzierte TICON-Projekt plant, diese Einschränkung durch die Verwendung topologischer Halbmetalle zu beheben. Diese neuen Materialien leiten den Strom vorwiegend entlang ihrer Oberflächen. Dadurch wird der Elektronenfluss aufrechterhalten, indem auch bei Dimensionen im Nanometerbereich ein niedriger Widerstand beibehalten und die Streuung reduziert wird. Das Projekt zielt darauf ab, hochwertige Dünnschichten dieser Metalle zu entwickeln und deren Oberflächen so zu bearbeiten, dass die Stromübertragung verbessert wird. Außerdem wird die Kompatibilität dieser Materialien mit Standardverfahren der Siliziumfertigung gewährleistet.
Ziel
Moore's law dictates that the number of transistors in a Si CMOS integrated circuit will double every other year through size reductions that result in improved devices with smaller footprints. However, smaller transistors and greater transistor density also requires smaller interconnect copper metal wires to connect billions of transistors together. The issue is that metal wires, in contrast to transistors, show degraded performance when reduced in size. This has resulted in an interconnect bottleneck, i.e. the situation when overall circuit performance is determined by interconnect delays, rather than transistor performance, and is one of the most serious challenges facing CMOS scaling today. By 2030, the interconnect linewidth will reach below 10 nm. At that point, Cu shows exponentially increasing resistivity due to surface and grain scattering, which will result in significantly increased delays and power dissipation. The solution to this issue is to develop new interconnect materials with improved properties at technologically relevant dimensions. This is the goal of the TICON project.
The long-term vision of TICON is to replace scaled Cu interconnects in CMOS technologies with topological semimetals, a class of materials where electrical currents are dominated by surface states that exhibit protection from scattering. Several experimental reports now exist showing the extraordinary scaling properties of such materials, indicated by a reduction (rather than increase) of resistivity, as the dimensions of the semimetal are reduced. In this project, we employ the latest understanding of the physical mechanisms that govern topological semimetal transport, chirality, correlation and surface state engineering, together with a focused effort to synthesize high-quality thin films. We will then demonstrate the integration of such films on Si platforms, and establish the required material properties and optimizations to facilitate uptake into Si CMOS technology.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
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Schlüsselbegriffe
Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
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HORIZON.3.1 - The European Innovation Council (EIC)
HAUPTPROGRAMM
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Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
HORIZON-EIC - HORIZON EIC Grants
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Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
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(öffnet in neuem Fenster) HORIZON-EIC-2025-PATHFINDEROPEN
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Finanzieller Nettobeitrag der EU. Der Geldbetrag, den der Beteiligte erhält, abzüglich des EU-Beitrags an mit ihm verbundene Dritte. Berücksichtigt die Aufteilung des EU-Finanzbeitrags zwischen den direkten Begünstigten des Projekts und anderen Arten von Beteiligten, wie z. B. Dritten.
8803 RUESCHLIKON
Schweiz
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.