Descrizione del progetto
Risolvere il collo di bottiglia del rame nei chip di silicio
Con la riduzione delle dimensioni dei transistori, i fili di rame all’interno dei chip di silicio faticano a tenere il passo. Tali fili, chiamati interconnessioni, trasportano i segnali tra i componenti e, su scala nanometrica, la loro resistenza elettrica aumenta, un cambiamento che rallenta i circuiti e provoca una perdita di potenza sotto forma di calore. Questo collo di bottiglia minaccia il futuro della tecnologia informatica avanzata. Il progetto TICON, finanziato dal CEI, mira a risolvere tale limitazione utilizzando i semimetalli topologici, nuovi materiali che conducono l’elettricità principalmente lungo le loro superfici, preservando in tal modo il flusso di elettroni e mantenendo una bassa resistenza anche a dimensioni nanometriche, il che determina una dispersione ridotta. Il progetto svilupperà film sottili di alta qualità di questi metalli e ne ingegnerizzerà le superfici per migliorare il modo in cui trasportano l’energia, garantendo inoltre che questi materiali funzionino con la produzione standard di silicio.
Obiettivo
Moore's law dictates that the number of transistors in a Si CMOS integrated circuit will double every other year through size reductions that result in improved devices with smaller footprints. However, smaller transistors and greater transistor density also requires smaller interconnect copper metal wires to connect billions of transistors together. The issue is that metal wires, in contrast to transistors, show degraded performance when reduced in size. This has resulted in an interconnect bottleneck, i.e. the situation when overall circuit performance is determined by interconnect delays, rather than transistor performance, and is one of the most serious challenges facing CMOS scaling today. By 2030, the interconnect linewidth will reach below 10 nm. At that point, Cu shows exponentially increasing resistivity due to surface and grain scattering, which will result in significantly increased delays and power dissipation. The solution to this issue is to develop new interconnect materials with improved properties at technologically relevant dimensions. This is the goal of the TICON project.
The long-term vision of TICON is to replace scaled Cu interconnects in CMOS technologies with topological semimetals, a class of materials where electrical currents are dominated by surface states that exhibit protection from scattering. Several experimental reports now exist showing the extraordinary scaling properties of such materials, indicated by a reduction (rather than increase) of resistivity, as the dimensions of the semimetal are reduced. In this project, we employ the latest understanding of the physical mechanisms that govern topological semimetal transport, chirality, correlation and surface state engineering, together with a focused effort to synthesize high-quality thin films. We will then demonstrate the integration of such films on Si platforms, and establish the required material properties and optimizations to facilitate uptake into Si CMOS technology.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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Parole chiave
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
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HORIZON.3.1 - The European Innovation Council (EIC)
PROGRAMMA PRINCIPALE
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Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
HORIZON-EIC - HORIZON EIC Grants
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Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
(si apre in una nuova finestra) HORIZON-EIC-2025-PATHFINDEROPEN
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Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.
8803 RUESCHLIKON
Svizzera
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.