Surface engineered InGaN heterostructures on N-polar and nonpolar GaN-substrates for green light emitters

Informazioni relative al progetto

SINOPLE

ID dell’accordo di sovvenzione: 230765

Progetto chiuso

Data di avvio 1 Dicembre 2009

Data di completamento 30 Novembre 2013

Finanziato da

• Specific programme "People" implementing the Seventh Framework Programme of the European Community for research, technological development and demonstration activities (2007 to 2013)

Costo totale € 1 026 191,00

Contributo UE € 1 026 191,00

Coordinato da

FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Germany