Skip to main content
Vai all'homepage della Commissione europea (si apre in una nuova finestra)
italiano italiano
CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
CORDIS
Contenuto archiviato il 2024-06-18

Surface engineered InGaN heterostructures on N-polar and nonpolar GaN-substrates for green light emitters

Obiettivo

The goal of this project is to develop the potential of molecular beam epitaxy on nearly dislocation free GaN single crystals for semiconductor lasers in the green spectral range (520-550nm). The active structure will consist of In-rich InGaN layers. Our goal is to push the internal quantum efficiencies of green emitting InGaN devices at 520 nm beyond 30% and to obtain stimulated emission beyond 500 nm. This will be done by (i) engineering the active structure of the device to reduce the effects of piezeolectric fields that reduce the efficiency of these devices (ii) exploring molecular beam epitaxy on non-polar, semi polar and N-polar surfaces to obtain maximum In incorporation and by (iii) improving the structural perfection of the active layers by applying surfactants. It must be understood though that there is no fully established know-how, in terms of growth, optical and structural properties of In-rich InGaN/GaN heterostructures Spinodal decomposition, In-segregation and misfit dislocation formation are still major issues. Structural degradation caused by the specific growth conditions necessary for high In-content layers dramatically reduces the internal quantum efficiency. Piezoelectric fields, due to the high strain of In-rich structures contribute to further reduction in efficiency of devices. Realisation of nonpolar or semipolar devices can reduce the piezoelectric fields. However, high levels of In incorporation, a prerequisite for green emitters, is a challenge that has not been solved till now. Our project combines molecular-beam epitaxy with unique dislocation free GaN substrates, advanced structural analysis and state of the art modelling and simulation to overcome these limitations. The project will take full advantage of the know-how acquired at TopGaN in the growth of UV lasers by MBE and the progress made in dislocation free substrates. This will enable growth to be performed on any defined surface orientation required.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP7-PEOPLE-IAPP-2008
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

MC-IAPP - Industry-Academia Partnerships and Pathways (IAPP)

Coordinatore

FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
Contributo UE
€ 435 487,00
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (2)

Il mio fascicolo 0 0