Objetivo
In this project the development of a method is proposed which characterises the electric operation of a fully operational device by determining the potential distribution inside the structure. The latter not only gives a direct correlation with the predictions from a device simulator but, as the potential distributions are closely linked to the dopant distributions, determination of the potential distributions will also lead to the identification of dopant distributions. The result of this work will be a method which greatly facilitates process and device development and sustains failure analysis for the next generations of Si-technology.
Submicron device development and fabrication hinges on the tight control of dopant incorporation and (re)distribution during the whole fabrication process. Facing the increasing costs for processing, extensive usage of process and device simulation programs (TCAD) has become a standard in technology development. However since advanced processes contain numerous less well characterised processing steps (like short time anneals, transient diffusion, stress induced diffusion, 2D-diffusion...) models are not yet completely predictive. Calibration of TCAD-tools and further model development are therefore essential activities for all semiconductor companies involved in deep submicron technology. An important restriction in the successful application of this strategy is the availability of suitable characterisation methods. With decreasing device dimensions the requirements posed on the analysis tools have increased from moderate requirements on 1D-depth resolution and sensitivity applied to simple test structures to very stringent requests related to 2D-resolution (nm!), quantification accuracy (2-5 %) and the capability to probe directly on devices. Concurrent with the TCAD-needs are the demands from failure analysis for high spatial resolution analysis of devices.
Scanning probe technology already has gained wide access in the semiconductor fabrication particularly for surface roughness (with sub-nm sensitivity) and dimensional metrology. The extension from a pure topographical measurement towards a more functional analysis (carrier or potential profiling) by the (additional) acquisition of a relevant electrical signal might lead to a method satisfying the TCAD- and failure analysis needs in terms of the required 2D-resolution, electrical information and applicability to devices.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
- ciencias naturales matemáticas matemáticas puras análisis matemático análisis funcional
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Palabras clave
Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).
Palabras clave del proyecto indicadas por el coordinador del proyecto. No confundir con la taxonomía EuroSciVoc (Ámbito científico).
Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Coordinador
3001 Leuven
Bélgica
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.