Obiettivo
In this project the development of a method is proposed which characterises the electric operation of a fully operational device by determining the potential distribution inside the structure. The latter not only gives a direct correlation with the predictions from a device simulator but, as the potential distributions are closely linked to the dopant distributions, determination of the potential distributions will also lead to the identification of dopant distributions. The result of this work will be a method which greatly facilitates process and device development and sustains failure analysis for the next generations of Si-technology.
Submicron device development and fabrication hinges on the tight control of dopant incorporation and (re)distribution during the whole fabrication process. Facing the increasing costs for processing, extensive usage of process and device simulation programs (TCAD) has become a standard in technology development. However since advanced processes contain numerous less well characterised processing steps (like short time anneals, transient diffusion, stress induced diffusion, 2D-diffusion...) models are not yet completely predictive. Calibration of TCAD-tools and further model development are therefore essential activities for all semiconductor companies involved in deep submicron technology. An important restriction in the successful application of this strategy is the availability of suitable characterisation methods. With decreasing device dimensions the requirements posed on the analysis tools have increased from moderate requirements on 1D-depth resolution and sensitivity applied to simple test structures to very stringent requests related to 2D-resolution (nm!), quantification accuracy (2-5 %) and the capability to probe directly on devices. Concurrent with the TCAD-needs are the demands from failure analysis for high spatial resolution analysis of devices.
Scanning probe technology already has gained wide access in the semiconductor fabrication particularly for surface roughness (with sub-nm sensitivity) and dimensional metrology. The extension from a pure topographical measurement towards a more functional analysis (carrier or potential profiling) by the (additional) acquisition of a relevant electrical signal might lead to a method satisfying the TCAD- and failure analysis needs in terms of the required 2D-resolution, electrical information and applicability to devices.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze naturali matematica matematica pura analisi matematica analisi funzionale
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Parole chiave
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
3001 Leuven
Belgio
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.