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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
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Inhalt archiviert am 2024-05-14

Nanopotentiometry: a tool for submicron device development and analysis

Ziel

In this project the development of a method is proposed which characterises the electric operation of a fully operational device by determining the potential distribution inside the structure. The latter not only gives a direct correlation with the predictions from a device simulator but, as the potential distributions are closely linked to the dopant distributions, determination of the potential distributions will also lead to the identification of dopant distributions. The result of this work will be a method which greatly facilitates process and device development and sustains failure analysis for the next generations of Si-technology.

Submicron device development and fabrication hinges on the tight control of dopant incorporation and (re)distribution during the whole fabrication process. Facing the increasing costs for processing, extensive usage of process and device simulation programs (TCAD) has become a standard in technology development. However since advanced processes contain numerous less well characterised processing steps (like short time anneals, transient diffusion, stress induced diffusion, 2D-diffusion...) models are not yet completely predictive. Calibration of TCAD-tools and further model development are therefore essential activities for all semiconductor companies involved in deep submicron technology. An important restriction in the successful application of this strategy is the availability of suitable characterisation methods. With decreasing device dimensions the requirements posed on the analysis tools have increased from moderate requirements on 1D-depth resolution and sensitivity applied to simple test structures to very stringent requests related to 2D-resolution (nm!), quantification accuracy (2-5 %) and the capability to probe directly on devices. Concurrent with the TCAD-needs are the demands from failure analysis for high spatial resolution analysis of devices.

Scanning probe technology already has gained wide access in the semiconductor fabrication particularly for surface roughness (with sub-nm sensitivity) and dimensional metrology. The extension from a pure topographical measurement towards a more functional analysis (carrier or potential profiling) by the (additional) acquisition of a relevant electrical signal might lead to a method satisfying the TCAD- and failure analysis needs in terms of the required 2D-resolution, electrical information and applicability to devices.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

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Schlüsselbegriffe

Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).

Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

ACM - Preparatory, accompanying and support measures

Koordinator

Interuniversity Microelectronics Centre
EU-Beitrag
Keine Daten
Adresse
Kapeldreef 75
3001 Leuven
Belgien

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Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten
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