Obiettivo
In phase change memory devices based on amorphous semiconductor GeSbTe compounds, the switching is achieved through application of current pulses with various pulse widths and trailing edges. When the device is in the low resistance polycrystalline state (set-state) the application of a high amplitude current pulse can increase the local temperature above the melting point and if the trailing edge is short enough the molten state is quenched into an amorphous phase (high resistance-reset state) after the pulse is turned off. Above a threshold dc voltage the amorphous state becomes more conductive, allowing high enough currents to flow and induce spontaneous crystallization due to joule heating. This way the device switches back to its low resistance-set state. In this project the stability of the switching parameters (threshold voltage and reset resistance) in time will be studied using radio frequency (RF) probes and a time domain sampling oscilloscope. Performed measurements on the already fabricated samples of Ge2Sb2Te5 nanopillars with circular or rectangular cross-sections down to 50 nm in diameter will elucidate the role of nano-scale current distribution in the overall drift characteristics. Further measurements at elevated temperatures will reveal the relative contributions from thermally accelerated structural relaxations and electronic relaxation mechanisms. In our study, we will gain a much better understanding of the nature of the drift properties of the switching parameters and therefore we will contribute to the solution and control of one of the most important problems in the practical applications of phase change memory, one of the most important memory devices that nanotechnology has produced as of today.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria informatica telecomunicazioni tecnologia radio frequenza radio
- ingegneria e tecnologia nanotecnologia
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
FP7-PEOPLE-2009-RG
Vedi altri progetti per questo bando
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
34342 Istanbul
Turchia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.