Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-06-18

Time-Domain Measurements of Phase Change Memory Switching Characteristics and Investigation of the Drift Mechanisms for the Threshold Voltage and Reset Resistance Values

Cel

In phase change memory devices based on amorphous semiconductor GeSbTe compounds, the switching is achieved through application of current pulses with various pulse widths and trailing edges. When the device is in the low resistance polycrystalline state (set-state) the application of a high amplitude current pulse can increase the local temperature above the melting point and if the trailing edge is short enough the molten state is quenched into an amorphous phase (high resistance-reset state) after the pulse is turned off. Above a threshold dc voltage the amorphous state becomes more conductive, allowing high enough currents to flow and induce spontaneous crystallization due to joule heating. This way the device switches back to its low resistance-set state. In this project the stability of the switching parameters (threshold voltage and reset resistance) in time will be studied using radio frequency (RF) probes and a time domain sampling oscilloscope. Performed measurements on the already fabricated samples of Ge2Sb2Te5 nanopillars with circular or rectangular cross-sections down to 50 nm in diameter will elucidate the role of nano-scale current distribution in the overall drift characteristics. Further measurements at elevated temperatures will reveal the relative contributions from thermally accelerated structural relaxations and electronic relaxation mechanisms. In our study, we will gain a much better understanding of the nature of the drift properties of the switching parameters and therefore we will contribute to the solution and control of one of the most important problems in the practical applications of phase change memory, one of the most important memory devices that nanotechnology has produced as of today.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

FP7-PEOPLE-2009-RG
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszenia

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

MC-IRG - International Re-integration Grants (IRG)

Koordynator

BOGAZICI UNIVERSITESI
Wkład UE
€ 100 000,00
Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych
Moja broszura 0 0