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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Contenu archivé le 2024-06-18

New Electronics Concept: Wafer-Scale Epitaxial Graphene

Description du projet


Nanoelectronics Technology
This project researches epitaxial graphene on silicon carbide for development of scalable electronics to develop graphene-based devices and circuits with a non-conventional functionality

The concept of this project is to unlock the potential of epitaxial graphene on silicon carbide (SiC) for development of scalable electronics with the view to develop graphene-based devices & circuits with a non-conventional functionality. Our strategy is to explore two promising directions of graphene-based technology: (i) the development of large-scale graphene wafers for manufacturing high-density of devices on a single SiC wafer, and (ii) the development of hybrid circuits for applications of graphene in spintronics and metrology by exploiting the flexibility for design offered by the large area of graphene on SiC. The consortium of bidders brings together groups with complementary expertise and substantial achievements in the relevant area of graphene research and nanotechnology in general.
The objectives are to (1) reliably produce large-area graphene with a controlled carrier density and improved transport characteristics; (2) pattern graphene for applications using industrial nanostructuring and nanofabrication methods, aiming at high integration densities with a good yield of working devices; (3) produce a prototype for a graphene-based Quantum Hall Resistance standard with characteristics surpassing existing silicon- and GaAs-based devices; (4) develop a pilot version of spintronic devices of epitaxial graphene; (5) start exploiting the commercial potential of graphene by establishing a start-up company that will produce graphene wafers for users outside this consortium.
These objectives relate directly to major parts of the call, namely, the need for new circuit architechtures, metrology and characterization techniques; new device structures for non-Si and Si based advanced integrated components to add functionality to circuits and (sub)systems; and new technologies and functional devices beyond CMOS.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.

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Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

FP7-ICT-2009-5
Voir d’autres projets de cet appel

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

CP - Collaborative project (generic)

Coordinateur

CHALMERS TEKNISKA HOGSKOLA AB
Contribution de l’UE
€ 666 790,00
Adresse
-
412 96 GOTEBORG
Suède

Voir sur la carte

Région
Södra Sverige Västsverige Västra Götalands län
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

Aucune donnée

Participants (7)

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