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Contenuto archiviato il 2024-06-18

New Electronics Concept: Wafer-Scale Epitaxial Graphene

Descrizione del progetto


Nanoelectronics Technology
This project researches epitaxial graphene on silicon carbide for development of scalable electronics to develop graphene-based devices and circuits with a non-conventional functionality

The concept of this project is to unlock the potential of epitaxial graphene on silicon carbide (SiC) for development of scalable electronics with the view to develop graphene-based devices & circuits with a non-conventional functionality. Our strategy is to explore two promising directions of graphene-based technology: (i) the development of large-scale graphene wafers for manufacturing high-density of devices on a single SiC wafer, and (ii) the development of hybrid circuits for applications of graphene in spintronics and metrology by exploiting the flexibility for design offered by the large area of graphene on SiC. The consortium of bidders brings together groups with complementary expertise and substantial achievements in the relevant area of graphene research and nanotechnology in general.
The objectives are to (1) reliably produce large-area graphene with a controlled carrier density and improved transport characteristics; (2) pattern graphene for applications using industrial nanostructuring and nanofabrication methods, aiming at high integration densities with a good yield of working devices; (3) produce a prototype for a graphene-based Quantum Hall Resistance standard with characteristics surpassing existing silicon- and GaAs-based devices; (4) develop a pilot version of spintronic devices of epitaxial graphene; (5) start exploiting the commercial potential of graphene by establishing a start-up company that will produce graphene wafers for users outside this consortium.
These objectives relate directly to major parts of the call, namely, the need for new circuit architechtures, metrology and characterization techniques; new device structures for non-Si and Si based advanced integrated components to add functionality to circuits and (sub)systems; and new technologies and functional devices beyond CMOS.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP7-ICT-2009-5
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

CP - Collaborative project (generic)

Coordinatore

CHALMERS TEKNISKA HOGSKOLA AB
Contributo UE
€ 666 790,00
Indirizzo
-
412 96 GOTEBORG
Svezia

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Regione
Södra Sverige Västsverige Västra Götalands län
Tipo di attività
Higher or Secondary Education Establishments
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (7)

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