Performances and Physical Limits of Heterostructure Field-Effect (HEFT) Transistors

Información del proyecto

NANOFET

Identificador del acuerdo de subvención: 3042

Proyecto cerrado

Fecha de inicio 2 Junio 1989

Fecha de finalización 1 Marzo 1992

Financiado con arreglo a

• European strategic programme (EEC) for research and development in information technologies (ESPRIT), 1987-1992

Coste total

Sin datos

Aportación de la UE

Sin datos

Coordinado por

Interuniversitair Mikroelektronica Centrum
Belgium

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Publicaciones

Other (1)

PERFORMANCE AND PHYSICAL LIMITS OF HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Autores: ALLE D R, BROERS A N, VAN ROSSUM M, LAUNOIS H, ET AL., ADDE R, CASTAGNE R, ANTONETTTI A (CAMBRIDGE UNIVERSITY, DEPARTMENT OF ENGINEERING (GB);IMEC, LEUVEN (BE);L2M, BAGNEUX (FR);IEF, ORSAY (FR);LOA, PALAISEAU (FR))
Publicado en: EXTRACT: ESPRIT '90 : CONFERENCE PROCEEDINGS (1990) PP. 851-864 (EUR 13148) KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS GROUP, PO BOX 322, 3300 AH DORDRECHT (NL), 1990, Página(s) 851-864