Performances and Physical Limits of Heterostructure Field-Effect (HEFT) Transistors

Informacje na temat projektu

NANOFET

Identyfikator umowy o grant: 3042

Projekt został zamknięty

Data rozpoczęcia 2 Czerwca 1989

Data zakończenia 1 Marca 1992

Finansowanie w ramach

• European strategic programme (EEC) for research and development in information technologies (ESPRIT), 1987-1992

Koszt całkowity € 0,00

Wkład UE Brak danych

Koordynowany przez

Interuniversitair Mikroelektronica Centrum
Belgium

Publikacje

Other (1)

PERFORMANCE AND PHYSICAL LIMITS OF HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Autorzy: ALLE D R, BROERS A N, VAN ROSSUM M, LAUNOIS H, ET AL., ADDE R, CASTAGNE R, ANTONETTTI A (CAMBRIDGE UNIVERSITY, DEPARTMENT OF ENGINEERING (GB);IMEC, LEUVEN (BE);L2M, BAGNEUX (FR);IEF, ORSAY (FR);LOA, PALAISEAU (FR))
Opublikowane w: EXTRACT: ESPRIT '90 : CONFERENCE PROCEEDINGS (1990) PP. 851-864 (EUR 13148) KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS GROUP, PO BOX 322, 3300 AH DORDRECHT (NL), 1990, Strona(/y) 851-864