Performances and Physical Limits of Heterostructure Field-Effect (HEFT) Transistors

Informations projet

NANOFET

N° de convention de subvention: 3042

Projet clôturé

Date de début 2 Juin 1989

Date de fin 1 Mars 1992

Financé au titre de

• European strategic programme (EEC) for research and development in information technologies (ESPRIT), 1987-1992

Coût total

Aucune donnée

Contribution de l’UE

Aucune donnée

Coordonné par

Interuniversitair Mikroelektronica Centrum
Belgium

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Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Other (1)

PERFORMANCE AND PHYSICAL LIMITS OF HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Auteurs: ALLE D R, BROERS A N, VAN ROSSUM M, LAUNOIS H, ET AL., ADDE R, CASTAGNE R, ANTONETTTI A (CAMBRIDGE UNIVERSITY, DEPARTMENT OF ENGINEERING (GB);IMEC, LEUVEN (BE);L2M, BAGNEUX (FR);IEF, ORSAY (FR);LOA, PALAISEAU (FR))
Publié dans: EXTRACT: ESPRIT '90 : CONFERENCE PROCEEDINGS (1990) PP. 851-864 (EUR 13148) KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS GROUP, PO BOX 322, 3300 AH DORDRECHT (NL), 1990, Page(s) 851-864