Performances and Physical Limits of Heterostructure Field-Effect (HEFT) Transistors

Informations projet

NANOFET

N° de convention de subvention: 3042

Projet clôturé

Date de début 2 Juin 1989

Date de fin 1 Mars 1992

Financé au titre de

• European strategic programme (EEC) for research and development in information technologies (ESPRIT), 1987-1992

Coût total € 0,00

Contribution de l’UE Aucune donnée

Coordonné par

Interuniversitair Mikroelektronica Centrum
Belgium

Publications

Other (1)

PERFORMANCE AND PHYSICAL LIMITS OF HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Auteurs: ALLE D R, BROERS A N, VAN ROSSUM M, LAUNOIS H, ET AL., ADDE R, CASTAGNE R, ANTONETTTI A (CAMBRIDGE UNIVERSITY, DEPARTMENT OF ENGINEERING (GB);IMEC, LEUVEN (BE);L2M, BAGNEUX (FR);IEF, ORSAY (FR);LOA, PALAISEAU (FR))
Publié dans: EXTRACT: ESPRIT '90 : CONFERENCE PROCEEDINGS (1990) PP. 851-864 (EUR 13148) KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS GROUP, PO BOX 322, 3300 AH DORDRECHT (NL), 1990, Page(s) 851-864