Performances and Physical Limits of Heterostructure Field-Effect (HEFT) Transistors

Projektinformationen

NANOFET

ID Finanzhilfevereinbarung: 3042

Projekt abgeschlossen

Startdatum 2 Juni 1989

Enddatum 1 März 1992

Finanziert unter

• European strategic programme (EEC) for research and development in information technologies (ESPRIT), 1987-1992

Gesamtkosten € 0,00

EU-Beitrag Keine Daten

Koordiniert durch

Interuniversitair Mikroelektronica Centrum
Belgium

Veröffentlichungen

Other (1)

PERFORMANCE AND PHYSICAL LIMITS OF HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Autoren: ALLE D R, BROERS A N, VAN ROSSUM M, LAUNOIS H, ET AL., ADDE R, CASTAGNE R, ANTONETTTI A (CAMBRIDGE UNIVERSITY, DEPARTMENT OF ENGINEERING (GB);IMEC, LEUVEN (BE);L2M, BAGNEUX (FR);IEF, ORSAY (FR);LOA, PALAISEAU (FR))
Veröffentlicht in: EXTRACT: ESPRIT '90 : CONFERENCE PROCEEDINGS (1990) PP. 851-864 (EUR 13148) KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS GROUP, PO BOX 322, 3300 AH DORDRECHT (NL), 1990, Seite(n) 851-864