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Contenuto archiviato il 2024-06-18

Phase Change Memory Advanced universal Switches through Thin alteRnating laYers

Descrizione del progetto


Very advanced nanoelectronic components: design, engineering, technology and manufacturability
Exploiting the potential of engineered Chalcogenide Super Lattices to achieve a breakthrough in power dissipation and switching speed of PC Memories, toward the realization of a "universal memory".

Charge storage has been the main physical mechanism supporting all solid state mass storage memories until now, both DRAM and FLASH. However none of the two main memory types appear to fully satisfy system requirements, DRAM because of its volatility and large power dissipation, and FLASH because of its slow programming speed and large block organization. PCM technology is a promising candidate to target the "universal memory" matching most of the properties of FLASH and DRAM. However, to realize the full potential of PCM two crucial memory characteristics have to be improved: programming current and switching speed.The new memory concept investigated in the project is based on engineered Chalcogenide SuperLattices (CSL) that should allow realizing the memory switching with a modification in the bonding nature instead of the energy expensive melting process, bringing about a significant reduction of both transition times and programming currents. Despite the convincing experimental evidence the physical mechanism is not yet understood.The project aims at exploiting the potential of CSL-PCM memory cells, starting from an atomistic understanding of switching in CSL materials through experiments and physical model development, leading to new insights for CSL engineering. Optimization of the CSL device will be achieved through the development of a test vehicle allowing the benchmark among different stacks, based on "universal memory" electrical performance targets. A large array, realized at 2X technology node, will be fabricated and integration issues will be addressed. Scalability to the 1X node will be also evaluated to demonstrate the capability to become a real "universal memory" also for the next generations of memory chips.At the end of the project a first "universal memory" chip at the state of the art technology node will be available with an expected direct impact on the solid state memory market.

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP7-ICT-2011-8
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

CP - Collaborative project (generic)

Coordinatore

Numonyx Italy Srl
Contributo UE
Nessun dato
Indirizzo
VIA CAMILLO OLIVETTI 2
20864 AGRATE BRIANZA
Italia

Mostra sulla mappa

Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (5)

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