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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Contenu archivé le 2024-06-16

An advanced electrical characterisation study of alternative gate dielectrics: the effect of charges and defects on material properties

Objectif

In the semiconductor industry, the scaling of MOSFETS ensures the continued reduction in cost and increase in speed. The gate dielectric plays a critical role in this scaling, and extensive research has been carried out on the subject of how to increase the lifetime and integrity of these layers as they become thinner and are subjected to ever increasing current densities and electric fields. The need for a `high-k layer which can be fabricated thicker (while giving equal performance) to replace SiO2 as the dielectric layer in scaled MOSFET devices to stem the leakage current problem is evident. In this project, we intend to refine test methodologies developed by IMEC on relatively well understood high-k candidates like HfO2 and apply these methodologies to more novel materials eg La2O3.

The test methodology will focus on controlling the flatband and threshold voltages, Vt shifts, channel mobility, bias temperature instability, charge formation, trapping and amp; de-trapping, and interfacial kinetics for HfO 2 films. Electrical measurements will be made on both large and small area capacitors, and on MOSFETs, and special attention will be paid to understanding the different properties of large and small area devices. Subsequently the study will be extended to new materials and these properties will be evaluated in newer high-k candidates, in an attempt to understand the physical mechanisms at work.

Another aspect of the project will be the correlation of the electrical data to physical analysis. This will be achieved by the use of materials analysis techniques (SIMS, XPS etc.) to determine chemical environments, and the linking of this data to electrical performance. The goal of the project is to develop a methodology for evaluating the suitability of high-k materials for incorporation into CMOS, and ultimately to identify such a material.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

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Mots‑clés

Les mots-clés du projet tels qu’indiqués par le coordinateur du projet. À ne pas confondre avec la taxonomie EuroSciVoc (champ scientifique).

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

FP6-2005-MOBILITY-5
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Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

EIF - Marie Curie actions-Intra-European Fellowships

Coordinateur

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW
Contribution de l’UE
Aucune donnée
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

Aucune donnée
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