Obiettivo
The goal of the PLANET project was to develop high throughput, multiwafer MOVPE (metal-organic vapour phase epitaxy) equipment suitable for the realisation of complex III-V heterostructure materials for electronic and optoelectronic devices and circuits. Applications for these devices lie in the field of high-speed signal processing, high-frequency satellite broadcasting, and semiconductor laser-related information transmission and storage.
The aim of the project is to develop high throughput, industrial metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) equipment suitable for the fabrication of the complex III-V heterostructures required in microelectronics and optoelectronics. The equipment is based on a completely new concept of and MOVPE system allowing simultaneous growth of 7 wafers in planetary motion, using gas foil rotation. An industrial system has been defined and constructed, and improvements are being implemented. A mathematical model is also developed to simulate the growth. The performances of the equipment are outstanding: the layer thickness uniformity on 2 inch and 3 inch wafers is within +1% and the composition is well reproducible within 0.5%, whilst the average surface defect density is 5/cm{2}. The evaluation of the system in microelectronics is made with high electron mobility transistors; high values of cut-off frequencies (65 GHz) are obtained with low dispersion. In optoelectronics, the very low laser current densities (400 A/cm{2}) obtained also show the excellent quality of the material. The new MOVPE system will supply the sophisticated epitaxial heterostructures required for the developing applications in microelectronics and optoelectronics.
The goal of the PLANET project is to develop high throughput, multiwafer metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) equipment suitable for the realization of complex III-V heterostructure materials for electronic and optoelectronic devices and circuits. The project consists of the development and improvement of a reactor prototype, tests of the design, and its application to various types of III-V materials, including indium and phosphorus containing compounds. Throughout the project, epitaxy, characterization and device research support the equipment development work, and reactor modelling supports reactor optimization. Considerable hardware improvements have been implemented. Qualification of the prototype reactor has been successfully made. Agreement between observed parameter behaviour and dimensional simulations is satisfactory.
Homogeneity of layer thickness on 2 inch wafers is excellent (of the order of 1%) for aluminium gallium arsenide multilayer structures. Aluminium gallium arsenide multiple quantium well (MQW) lasers show excellent behaviour and good reliability. The results have been extended towards larger substrate sizes. First results on 3 inch substrates are very promising. Indium gallium arsenide pseudomorphic high electron mobility transistors (HEMT) have been successfully realised with a high day to day reproducibility. Emphasis is now on a 3 inch process for these pseudomorphic HEMT.
First layers of indium gallium phosphide and aluminium indium gallium phosphide for visible lasers have been grown. The evaluation results are very positive. Growth of laser structures for visible lasers is underway. Indium gallium arsenic phosphide/indium phosphide waveguides have been designed, and low losses realised by etching the waveguides using reactive ion etching (RIE). A preliminary evaluation has been made of indium gallium phosphide and indium aluminium phosphide visible laser materials grown in a conventional reactor.
3-dimensional simulations have b een successfully performed the defect density of the layers gas been found to be consistently below 10 defects cm{-2}, with the best results below 1 cm{-2}.
The project consisted of the development and improvement of a reactor prototype by an experienced MOVPE equipment manufacturer, tests of the design, and its application to various types of III-V materials, including In- and P-containing compounds. AlGaAs FETs and lasers were made for qualification of the PLANET reactor for these applications. In the second phase, a similar approach was taken towards improved InGaAs transistors and visible lasers made of InGaAlP. Throughout the project, epitaxy, characterisation and device research supported the equipment development work, and reactor modelling supported reactor optimisation.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica optoelettronica
- ingegneria e tecnologia ingegneria meccanica ingegneria dei veicoli ingegneria aerospaziale tecnologia satellitare
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
94453 Limeil-Brevannes
Francia
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.