Cel
The goal of the PLANET project was to develop high throughput, multiwafer MOVPE (metal-organic vapour phase epitaxy) equipment suitable for the realisation of complex III-V heterostructure materials for electronic and optoelectronic devices and circuits. Applications for these devices lie in the field of high-speed signal processing, high-frequency satellite broadcasting, and semiconductor laser-related information transmission and storage.
The aim of the project is to develop high throughput, industrial metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) equipment suitable for the fabrication of the complex III-V heterostructures required in microelectronics and optoelectronics. The equipment is based on a completely new concept of and MOVPE system allowing simultaneous growth of 7 wafers in planetary motion, using gas foil rotation. An industrial system has been defined and constructed, and improvements are being implemented. A mathematical model is also developed to simulate the growth. The performances of the equipment are outstanding: the layer thickness uniformity on 2 inch and 3 inch wafers is within +1% and the composition is well reproducible within 0.5%, whilst the average surface defect density is 5/cm{2}. The evaluation of the system in microelectronics is made with high electron mobility transistors; high values of cut-off frequencies (65 GHz) are obtained with low dispersion. In optoelectronics, the very low laser current densities (400 A/cm{2}) obtained also show the excellent quality of the material. The new MOVPE system will supply the sophisticated epitaxial heterostructures required for the developing applications in microelectronics and optoelectronics.
The goal of the PLANET project is to develop high throughput, multiwafer metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) equipment suitable for the realization of complex III-V heterostructure materials for electronic and optoelectronic devices and circuits. The project consists of the development and improvement of a reactor prototype, tests of the design, and its application to various types of III-V materials, including indium and phosphorus containing compounds. Throughout the project, epitaxy, characterization and device research support the equipment development work, and reactor modelling supports reactor optimization. Considerable hardware improvements have been implemented. Qualification of the prototype reactor has been successfully made. Agreement between observed parameter behaviour and dimensional simulations is satisfactory.
Homogeneity of layer thickness on 2 inch wafers is excellent (of the order of 1%) for aluminium gallium arsenide multilayer structures. Aluminium gallium arsenide multiple quantium well (MQW) lasers show excellent behaviour and good reliability. The results have been extended towards larger substrate sizes. First results on 3 inch substrates are very promising. Indium gallium arsenide pseudomorphic high electron mobility transistors (HEMT) have been successfully realised with a high day to day reproducibility. Emphasis is now on a 3 inch process for these pseudomorphic HEMT.
First layers of indium gallium phosphide and aluminium indium gallium phosphide for visible lasers have been grown. The evaluation results are very positive. Growth of laser structures for visible lasers is underway. Indium gallium arsenic phosphide/indium phosphide waveguides have been designed, and low losses realised by etching the waveguides using reactive ion etching (RIE). A preliminary evaluation has been made of indium gallium phosphide and indium aluminium phosphide visible laser materials grown in a conventional reactor.
3-dimensional simulations have b een successfully performed the defect density of the layers gas been found to be consistently below 10 defects cm{-2}, with the best results below 1 cm{-2}.
The project consisted of the development and improvement of a reactor prototype by an experienced MOVPE equipment manufacturer, tests of the design, and its application to various types of III-V materials, including In- and P-containing compounds. AlGaAs FETs and lasers were made for qualification of the PLANET reactor for these applications. In the second phase, a similar approach was taken towards improved InGaAs transistors and visible lasers made of InGaAlP. Throughout the project, epitaxy, characterisation and device research supported the equipment development work, and reactor modelling supported reactor optimisation.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika optoelektronika
- inżynieria i technologia przemysł maszynowy inżynieria pojazdów inżynieria lotnicza i kosmiczna technika satelitarna
- inżynieria i technologia inżynieria elektryczna, inżynieria elektroniczna, inżynieria informatyczna inżynieria elektroniczna przetwarzanie sygnałów
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale nieszlachetne
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka fizyka laserów
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
94453 Limeil-Brevannes
Francja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.