Objectif
The MORSE project aims to develop novel non-toxic precursors and to test their quality by MOVPE and CBE.
The overall project objectives are to: develop new, better suited group III and V precursors for metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) and chemical beam epitaxy (CBE) growth applications. The precursor studies aim to identify new source materials which provide both improved operational characteristics (primarily vapour pressure, stability and toxicity) and also reduced unintentional impurity uptake in the resulting epitaxial layers; and to appraise the new CBE technique for the growth of advanced III-V demonstrator devices such as gallium arsenide/gallium aluminium arsenide and gallium arsenide/gallium indium phosphide heterojunction bipolar transistors (HBT) in order to allow direct comparison with corresponding devices produced using the present generation molecular beam epitaxy (MBE) and MOVPE growth processes. Alternative new liquid organic precursors have been synthesized and characterized. Studies on biphosphinoethane (BPE) or tertiary butyl phosphine (TBP) and tertiary butyl arsine (TBAs) had led to the conclusion that state of the art, highly uniform multiple quantum well (MQW) laser structures can be grown using these much safer precursors.
Diethyl-aluminium-hydride-trimethylamine (DEAlH-NMe3) appears to be the best suited new aluminium precursor, with higher vapour pressure than TEAL (x 5), and low carbon and oxygen contamination when tested in CBE.
Studies on indium prescursors concentrated on dimethylaminopropy-dimethyl-indium (DADI). This compound is a promising candidated, being liquid at room temperature and having a high vapour pressure comparable to that of TEIn. High quality indium phosphide has been reproducibly grown with best low temperature mobilities of u(77 k) greater than 110000 cm{2} V{-1} s{-1}.
Preliminary experiments have been conducted on the growth of gallium indium phosphide with TBP. As observed in the case of indium phosphide, carbon concentrations are strongly reduced by using TBP instead of phosphide. No significant differ ence is noted for the sulphur, silicon and oxygen levels.
High n-type doping of CBE gallium arsenide and gallium indium phosphide has been successfully achieved using concentrated sources of disilane and hydrogen sulphide. Thanks to its higher incorporation efficiency with lower memory effect, hydrogen sulphide preferred to disilane as n-type dopant for both gallium arsenide and gallium indium phosphide. An ultra-high level gallium arsenide p-type doping capability has also been established using the TMGa precursor for specific application to the base region of the HBT device.
The overall objectives were to:
- develop new, better suited group III and V precursors for MOVPE (metal organic vapour phase epitaxy) and CBE (chemical beam epitaxy) growth applications. The precursor studies aim to identify new source materials which provide both improved operational characteristics (primarily vapour pressure, stability and toxicity) and also reduced unintentional impurity uptake in the resulting epitaxial layers.
- appraise the new CBE technique for the growth of advanced III-V demonstrator devices such as GaAs/GaAlAs and GaAs/GaInP HBT, in order to allow direct comparison with corresponding devices produced using the present-generation MBE (molecular beam epitaxy) and MOVPE growth processes.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
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- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métal pauvre
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
- sciences naturelles sciences chimiques chimie inorganique métalloïde
- sciences naturelles sciences physiques optique physique des lasers
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
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Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Données non disponibles
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Données non disponibles
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Données non disponibles
Coordinateur
91404 Orsay
France
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.