Cel
The MORSE project aims to develop novel non-toxic precursors and to test their quality by MOVPE and CBE.
The overall project objectives are to: develop new, better suited group III and V precursors for metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) and chemical beam epitaxy (CBE) growth applications. The precursor studies aim to identify new source materials which provide both improved operational characteristics (primarily vapour pressure, stability and toxicity) and also reduced unintentional impurity uptake in the resulting epitaxial layers; and to appraise the new CBE technique for the growth of advanced III-V demonstrator devices such as gallium arsenide/gallium aluminium arsenide and gallium arsenide/gallium indium phosphide heterojunction bipolar transistors (HBT) in order to allow direct comparison with corresponding devices produced using the present generation molecular beam epitaxy (MBE) and MOVPE growth processes. Alternative new liquid organic precursors have been synthesized and characterized. Studies on biphosphinoethane (BPE) or tertiary butyl phosphine (TBP) and tertiary butyl arsine (TBAs) had led to the conclusion that state of the art, highly uniform multiple quantum well (MQW) laser structures can be grown using these much safer precursors.
Diethyl-aluminium-hydride-trimethylamine (DEAlH-NMe3) appears to be the best suited new aluminium precursor, with higher vapour pressure than TEAL (x 5), and low carbon and oxygen contamination when tested in CBE.
Studies on indium prescursors concentrated on dimethylaminopropy-dimethyl-indium (DADI). This compound is a promising candidated, being liquid at room temperature and having a high vapour pressure comparable to that of TEIn. High quality indium phosphide has been reproducibly grown with best low temperature mobilities of u(77 k) greater than 110000 cm{2} V{-1} s{-1}.
Preliminary experiments have been conducted on the growth of gallium indium phosphide with TBP. As observed in the case of indium phosphide, carbon concentrations are strongly reduced by using TBP instead of phosphide. No significant differ ence is noted for the sulphur, silicon and oxygen levels.
High n-type doping of CBE gallium arsenide and gallium indium phosphide has been successfully achieved using concentrated sources of disilane and hydrogen sulphide. Thanks to its higher incorporation efficiency with lower memory effect, hydrogen sulphide preferred to disilane as n-type dopant for both gallium arsenide and gallium indium phosphide. An ultra-high level gallium arsenide p-type doping capability has also been established using the TMGa precursor for specific application to the base region of the HBT device.
The overall objectives were to:
- develop new, better suited group III and V precursors for MOVPE (metal organic vapour phase epitaxy) and CBE (chemical beam epitaxy) growth applications. The precursor studies aim to identify new source materials which provide both improved operational characteristics (primarily vapour pressure, stability and toxicity) and also reduced unintentional impurity uptake in the resulting epitaxial layers.
- appraise the new CBE technique for the growth of advanced III-V demonstrator devices such as GaAs/GaAlAs and GaAs/GaInP HBT, in order to allow direct comparison with corresponding devices produced using the present-generation MBE (molecular beam epitaxy) and MOVPE growth processes.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale nieszlachetne
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metaloidy
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka fizyka laserów
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
91404 Orsay
Francja
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.