Ziel
The goal of MIDAS is to strengthen the European knowledge base in the area of high-performance silicon microelectronics. The technical objective is to demonstrate the performance enhancement in bipolar transistors by using new materials such as silicon-germanium, new processing techniques such as low-temperature epitaxy, and selected deposition and new device concepts such as heterojunction bipolar transistors. The demonstration of the potential will be done by a combination of performance prediction based on device simulations using data derived from test structures, and the fabrication of bipolar transistors.
A range of different technologies, such as molecular beam epitaxy (MBE), ultrahigh vacuum chemical vapour deposition (UHV-CVD) and plasma assisted chemical vapour deposition (CVD) are being used and compared in terms of material quality, growth sequence and time. Aspects of integration of epitaxial growth of silicon (Si) and silicon germanide (SiGe) by the different techniques, using selective and nonselective growth, are being investigated.
The first operating transistors have been made. These are meant either to optimize the dopant and/or germanium profiles, or to optimize the device structure to obtain low parasitics. Excellent results in terms of high frequency performance have been obtained for deposited base transistors. In the modelling area, the missing material parameters, in particular for SiGe, have been identified, and the influence on calculated performance has been evaluated.
Silicon multilayer technology will improve performance characteristics of bipolar devices in terms of speed, noise, linearity and power consumption. It will also create silicon heterojunction devices with additional degrees of freedom with respect to device design and optimisation as compared with homojunction devices. This additional degree of freedom can be used to improve the speed with transit frequencies up to the 100 GHz range, or to improve the analogue features at "moderate" transit frequencies of 20 to 50 GHz.
The technical targets of the project are:
simulated optimised devices
Silicon bipolar homo-devices
Propagation delay minimum <20 ps
Minimum power delay product <10 fJ
Effective emitter width <0.5 micron
Transit frequency 25-60 GHz
Silicon bipolar hetero-devices
Propagation delay minimum <15 ps
Minimum power delay product <20 fJ
Noise figure at 2 GHz <1.5 dB
(using standard transistor)
Effective emitter width <0.5 micron
Transit frequency 50-100 GHz
Maximum oscillation frequency 50-100 GHz
Linearity: early voltage >20 V
fabricated non-optimised devices
Silicon bipolar homo-devices
Transit frequency > 25 GHz
Base pinch resistance <25 kW
Noise figure at 2 GHz <2 dB
Silicon bipolar hetero-devices
Transit frequency 25-50 GHz
Base pinch resistance 10 kW
Noise figure at 2 GHz <1.5 dB
Early voltage >20 V
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Mikroelektronik
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Metalloide
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Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
5656 AA EINDHOVEN
Niederlande
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.