Obiettivo
The goal of MIDAS is to strengthen the European knowledge base in the area of high-performance silicon microelectronics. The technical objective is to demonstrate the performance enhancement in bipolar transistors by using new materials such as silicon-germanium, new processing techniques such as low-temperature epitaxy, and selected deposition and new device concepts such as heterojunction bipolar transistors. The demonstration of the potential will be done by a combination of performance prediction based on device simulations using data derived from test structures, and the fabrication of bipolar transistors.
A range of different technologies, such as molecular beam epitaxy (MBE), ultrahigh vacuum chemical vapour deposition (UHV-CVD) and plasma assisted chemical vapour deposition (CVD) are being used and compared in terms of material quality, growth sequence and time. Aspects of integration of epitaxial growth of silicon (Si) and silicon germanide (SiGe) by the different techniques, using selective and nonselective growth, are being investigated.
The first operating transistors have been made. These are meant either to optimize the dopant and/or germanium profiles, or to optimize the device structure to obtain low parasitics. Excellent results in terms of high frequency performance have been obtained for deposited base transistors. In the modelling area, the missing material parameters, in particular for SiGe, have been identified, and the influence on calculated performance has been evaluated.
Silicon multilayer technology will improve performance characteristics of bipolar devices in terms of speed, noise, linearity and power consumption. It will also create silicon heterojunction devices with additional degrees of freedom with respect to device design and optimisation as compared with homojunction devices. This additional degree of freedom can be used to improve the speed with transit frequencies up to the 100 GHz range, or to improve the analogue features at "moderate" transit frequencies of 20 to 50 GHz.
The technical targets of the project are:
simulated optimised devices
Silicon bipolar homo-devices
Propagation delay minimum <20 ps
Minimum power delay product <10 fJ
Effective emitter width <0.5 micron
Transit frequency 25-60 GHz
Silicon bipolar hetero-devices
Propagation delay minimum <15 ps
Minimum power delay product <20 fJ
Noise figure at 2 GHz <1.5 dB
(using standard transistor)
Effective emitter width <0.5 micron
Transit frequency 50-100 GHz
Maximum oscillation frequency 50-100 GHz
Linearity: early voltage >20 V
fabricated non-optimised devices
Silicon bipolar homo-devices
Transit frequency > 25 GHz
Base pinch resistance <25 kW
Noise figure at 2 GHz <2 dB
Silicon bipolar hetero-devices
Transit frequency 25-50 GHz
Base pinch resistance 10 kW
Noise figure at 2 GHz <1.5 dB
Early voltage >20 V
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica microelettronica
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
5656 AA EINDHOVEN
Paesi Bassi
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.