Description du projet
Nanoelectronics
New device simulation methodology enabling the use of quantum drift-diffusion and Monte Carlo TCAD tools for comprehensive descriptions of Ultra Thin Body SoI FETs, FinFETs and nanowire FETs.
According to ITRS, III-V compound semiconductor n-type MOSFETs will reach production in 2018 as part of a new scaling scenario for high performance at very low voltage. The present lack of dependable TCAD models for the early stages of industrial development is a hindrance to benefit from the cost saves and time to market reduction that TCAD is recognized to deliver. To bridge this gap, III-V-MOS aims to provide to the European Semiconductor Industry accurate device simulation models and methods, integrated into TCAD tools, for successful introduction in CMOS technology of optimized device designs based on III-V MOSFETs at and beyond the 14nm node. III-V-MOS will develop, validate and transfer to industry a new device simulation methodology enabling the use of accurate quantum drift-diffusion and Monte Carlo TCAD tools. The models, calibrated by comparison with measurements on complete devices and ad-hoc test structures, will provide comprehensive descriptions of Ultra Thin Body Semiconductor on Insulator FETs, FinFETs and nanowire FETs at and beyond the 14nm node including device parasitics. A hierarchical approach will be used, starting from atomistic band structure calculations all the way down to customized TCAD simulation setups ready for direct use in an industrial environment.Systematic application of the new methodology under industrial guidance will provide new insight in nanoscale III-V semiconductor device physics and identify the potential of the technology boosters, thus substantially reducing the options to be explored for the device design and the corresponding costs. Future exploitation and high impact of the project results are guaranteed by the TCAD market leader (Synopsys); by a SME specialized in the growing business of atomistic simulations for technology development (QuantumWise); by a research center (IMEC) and an industry lab (IBM) engaged in CMOS fabrication technology development and by the European foundry GLOBALFOUNDRIES Dresden.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.
- sciences naturelles sciences physiques électromagnétisme et électronique dispositif à semiconducteur
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Programme(s)
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.
Thème(s)
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.
Appel à propositions
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.
FP7-ICT-2013-11
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Régime de financement
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.
Coordinateur
40125 Bologna
Italie
Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.