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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
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Radiation Hard Resistive Random-Access Memory

Objectif

The project aims to realize a strong methodology for the development and design of a radiation hard non-volatile memory technology by using standard CMOS silicon processing. Since standard silicon memories, such as flash memories tend to fail under irradiation, a new approach is envisaged: the development of a specific memory technology, so called resistive random-access memory (RRAM), which is able to sustain heavy ions and other charged particles. The switching effect of RRAM devices is caused by chemical Redox-reactions, therefore, radiation effects like total ionizing dose and single event effects don’t affect the switching mechanism.
Semiconductor memories, among rad hard integrated circuit scenario, are one of the most critical topics for space applications. Actually both volatile and nonvolatile memories, excluding few exceptions, are integrated using standard processes and standard architectures. This means that the final device is typically at least Rad tolerant and not Rad Hard and failure during mission is avoided using Error Correcting Code techniques including redundancy at the board level. The basic goal of the project is to give a methodology for the development of a new rad-hard nonvolatile RRAM memory with high-performance features like good retention, re-programmability and cycling, and realize a prototype (1Mbit RRAM memory) in order to validate the approach.

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: Le vocabulaire scientifique européen.

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Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

RIA - Research and Innovation action

Voir tous les projets financés dans le cadre de ce programme de financement

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-COMPET-2014

Voir tous les projets financés au titre de cet appel

Coordinateur

IHP GMBH - LEIBNIZ INSTITUTE FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS
Contribution nette de l'UE

La contribution financière nette de l’UE est la somme d’argent que le participant reçoit, déduite de la contribution de l’UE versée à son tiers lié. Elle prend en compte la répartition de la contribution financière de l’UE entre les bénéficiaires directs du projet et d’autres types de participants, tels que les participants tiers.

€ 400 312,50
Adresse
IM TECHNOLOGIEPARK 25
15236 Frankfurt Oder
Allemagne

Voir sur la carte

Région
Brandenburg Brandenburg Frankfurt (Oder)
Type d’activité
Research Organisations
Liens
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

€ 400 312,50

Participants (5)

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