Design Oriented ModellINg for flexible electrOnics

Leistungen

Requirements of design tools for flexible electronics

Report about the requirements of design tools for flexible electronics.

Requirements of design tools for flexible electronics update

Updated report on the requirements of design tools for flexible electronics

Preliminary Compact Model specifications

Report about the needed specifications that compact models for OTFTs and AOS TFTs must satisfy.

‘Compact Model specifications revision

Updated report about the specifications that compact models for OTFTs and AOS TFTs must satisfy.

‘EDA tools integration and simulation performances evaluation

Report about the integration of the developed compact models in EDA tools and the evaluation of their simulation performances

Final release of TCAD software containing all new physical electrical device level models and documentation

Release of the TCAD software which will contain the new physical models for the effects governing the behavior of OTFTs and AOS TFTs Besides release of the associated documentation

Veröffentlichungen

Continuous Charge-Based Current Model for Organic TFT Derived From Gaussian DOS

Autoren: F. Hain, C. Lammers, F. Horst, F. Hosenfeld, B. Iñiguez, A. Kloes
Veröffentlicht in: International Conference on Organic Electronics, 2015
Herausgeber: WASET

Self-consistent parameter extraction method for organic-field effect transistors with power-law dependent mobility

Autoren: Sungyeop Jung, Vincent Mosser, Yvan Bonnassieux and Gilles Horowitz
Veröffentlicht in: Material Research Society Fall Meeting, 2015
Herausgeber: Cambridge university press

Charge-based Modelling of the Channel Current in Organic Field Effect Transistors Considering Injection Effects

Autoren: F. Hain, C. Lammers, F. Hosenfeld, Hagen Klauk, Ute Zschieschang, B. Iñiguez, A. Kloes
Veröffentlicht in: Electrochemical Society Meeting, Chicago, 2015
Herausgeber: ECS Transactions

Characterization and modeling of temperature effects in Amorphous Oxide TFTs

Autoren: B. Iñiguez, O. Moldovan, A. Cerdeira and M. Estrada
Veröffentlicht in: 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Low-frequency noise modelin in orgànic and IGZO TFTs

Autoren: B. Iñiguez, G. Uriarte, W. E. Muhea and T. Gneiting
Veröffentlicht in: MOS-AK Workshop, 2018
Herausgeber: Wladek Gabrinski (EPFL)

esign Oriented Modeling of TFTs for Flexible Electronics,” 8th International Conference on CAD for TFT transistors (CAD-TFT)

Autoren: B. Iñiguez
Veröffentlicht in: 8th International Conference on CAD for TFT transistors (CAD-TFT),, 2018
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society

Analytical modeling of non-linear injection effects in organic TFT

Autoren: A. Kloes, M. Graef, F. Hain, H. Klauk, J. Pruefer
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Realistic Small-Signal AC Simulation of a Bottom-Gate OTFT

Autoren: M. Graef, J. Pruefer, A. Kloes
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Mathematical and Semi-Physical Compact Modeling for Emerging Technologies

Autoren: Y. Courant, A. Nathan, F. Mohamed
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Modelling of TFT s-Parameters and its Impact on Cut-Off Frequency Extraction

Autoren: X. Chen
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Modelling Diode Reverse Recovery for Wireless Power Transfer

Autoren: P. Fan, F. Mohamed, A. Nathan
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

A unified charge-based TFT core compact model

Autoren: S. Mijalkovic
Veröffentlicht in: International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Guidelines for robust compact model coding with Verilog-A

Autoren: S. Mijalkovic
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Charge-Based Compact Model for DC Current in Organic TFT Including Non-Linear Injection Effects with a Close Link to Electrical Device Parameters

Autoren: A. Kloes, F. Hain, M. Graef, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Proceedings 231st ECS Meeting, New Orleans, 2017 (invited), 2017
Herausgeber: ECS The Electrochemical Society

Performant Physical and Spice Model of Organic TFT

Autoren: Y. Bonnassieux
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Design Tools Challenges for Large Area Electronics

Autoren: A. Nejim
Veröffentlicht in: Digest of the 2017 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2017
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society, University of Cambridge

Physics-Based Compact Model for Organic Thin-Film Transistors with a Universal Charge Expression for Quasi-Static Operation

Autoren: A. Kloes, J. Pruefer, J. Leise, G. Darbandy, and H. Klauk
Veröffentlicht in: 235st ECS Meeting, 2019
Herausgeber: The Electrochemical Society

Compact Modeling of I-V and C-V Characteristics in OTFTs from 125K to 350K,

Autoren: B. Iniguez, H. Cortes-Ordonez, A. Cerdeira, M. Estrada, S. Jacob, C. Haddad, G. Ghibaudo, and F. Mohamed
Veröffentlicht in: 235th ECS Meeting, 2019
Herausgeber: The Electrochemical Society

Simulation of CdSe Based Quantum Dot Hybrid Light Emitting Diodes Using Tcad Continuous Models

Autoren: R. Grassi, I. Arroyo, B. Iñiguez, T. Drevon, A. Plews, S. Chourou, M. Townsend, and A. Nejim
Veröffentlicht in: 235st ECS Meeting, 2019
Herausgeber: ECS The Electrochemical Society

Compact Modeling of Non-Linear Contact Resistance in Staggered and Coplanar Organic Thin-Film Transistors

Autoren: Jakob Pruefer, Benjamin Iñiguez, Hagen Klauk, Alexander Kloes
Veröffentlicht in: Proceedings ICOE 2018, 2018
Herausgeber: Université de Bordeaux

UMEM based 1/f noise model for amorphous ESL IGZO TFTs

Autoren: W. E. Muhea, T. Gneiting, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: 1st Latin American Electron Devices Conference, 2019
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society

Parameter extraction and modeling of OTFTS from 150K to 300K

Autoren: Harold Cortes-Ordonez, Clara Haddad, Stephanie Jacob, Gerad Ghibaudo, Firas Mohamed, Magali Estrada, Antonio Cerdeira and Benjamin Iñiguez
Veröffentlicht in: 1st Latin American Electron Devices Conference, 2018
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society

Charge-Based DC/AC Compact Modeling of Organic TFTs

Autoren: A. Kloes, Jakob Pruefer, Jakob Leise, Ghader Darbandy
Veröffentlicht in: 2018 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2018
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society

Parameter extraction method for disordered organic field-effect transistors

Autoren: Sungyeop Jung, Vincent Mosser, Yvan Bonnassieux, Gilles Horowitz
Veröffentlicht in: The Polymer Society of Korea Spring Meeting, 2017
Herausgeber: The Polymer Society of Korea

Impact of mechanical deformation on flexible thin film transistor performance

Autoren: A. Nejim
Veröffentlicht in: 2018 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2018
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society

Strong physical background in OTFT compact model

Autoren: Y. Bonnassieux
Veröffentlicht in: 2018 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2018
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society

Oxide Electronics

Autoren: A Nathan
Veröffentlicht in: 2018 International Workshop on Computer Aided Design of Thin-Film Transistor (CAD-TFT), 2018
Herausgeber: IEEE Electron Devices Society

Device-Circuit Interactions in Oxide TFT Low Power Circuits and Systems (invited)

Autoren: A Nathan
Veröffentlicht in: IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2018
Herausgeber: IEEE

Transparent and Oxide Nano-Electronics

Autoren: A. Nathan
Veröffentlicht in: IEEE International Flexible Electronics Technology Conference (invited), 2018
Herausgeber: IEEE

Physical SPICE Model of Organic Thin Film Transistor

Autoren: Y. Bonnassieux, S. Jung, and G. Horowitz
Veröffentlicht in: Book of Abstracts of the 231 Electrochemical Society (ECS) Meeting, 2017
Herausgeber: ECS - The Electrochemical Society

Ultralow power subthreshold inorganic and organic thin film transistors

Autoren: C Jiang, A. Nathan
Veröffentlicht in: LOPEC 2018, 2018
Herausgeber: oe-a Organic and Printed Electronics Association

Compact modeling and parameter extraction of Amorphous Oxide TFTs

Autoren: B Iñiguez
Veröffentlicht in: IEEE EDS Mini-Colloquium, Spanish Conference on Electron Devices (invited), 2018
Herausgeber: *

TFT Modelling for Circuits Simulation

Autoren: A. Nathan, X. Cheng, G. Yao, and S. Lee
Veröffentlicht in: International Thin-film Transistor Conference (ITC) 2015, Paris, France, Feb. 2015, 2015
Herausgeber: T. Mohammed-Brahim (Rennes 1 University, France)

Charge-Based Current Model of Organic TFT for All Operation Regions with a Close Link to Electrical Device Parameters

Autoren: A. Kloes, F. Hain, M. Graef, S. Jacob, B. Iniguez
Veröffentlicht in: Workshop on Flexible Electronics 2016, Tarragona (Spain), 2016
Herausgeber: B. Iñiguez

Defining the injection barrier at metal/organic semiconductor interface with a Gaussian density-of-states

Autoren: Sungyeop Jung, Chang-Hyun Kim, Yvan Bonnassieux and Gilles Horowitz
Veröffentlicht in: International Thin-Film Transistor Conference (ITC), Rennes, France, February 26-27 (2015), 2015
Herausgeber: T. Mohammed-Brahim (Rennes 1 University, France)

Threshold Voltage and Conduction Mechanisms in Disordered Semiconductor-based Thin Film Transistors

Autoren: S. Lee, A. Nathan
Veröffentlicht in: 7th International Conference on CAD for TFT transistors, Beijing (China) October 2015, 2015
Herausgeber: Information not available

Analytically correlated charge transport and injection in solution-processed organic field-effect transistors

Autoren: C.-H. Kim, S. Jung, Y. Bonnassieux, J. E. Anthony, I. Kymissis, M.-H. Yoon, and G. Horowitz
Veröffentlicht in: European Conference on Molecular Electronics (ECME) 2015, 2015
Herausgeber: Paolo Samorì

Closed-Form Charge-Based Current Model of Organic TFT Including Non-Linear Injection Effects

Autoren: A. Kloes, F. Hain, M. Graef, B. Iniguez
Veröffentlicht in: MOS-AK ESSDERC/ESSCIRC Workshop, Lausanne, 2016, 2016
Herausgeber: Wladek Grabinski

Ultra-thin gate dielectric for organic field-effect transistors

Autoren: M. Albariqi, T. Alhathal, S. Jung, Y. Bonnassieux and G. Zucchi
Veröffentlicht in: International Thin-Film Transistor Conference (ITC), Rennes, France, February 26-27 (2015), 2015
Herausgeber: T. Mohammed-Brahim (Rennes 1 University, France)

Oxide Semiconductor TFT Technology for Circuits and Systems”, 7th International Conference on CAD for TFT transistors

Autoren: A. Nathan
Veröffentlicht in: 7th International Conference on CAD for TFT transistors 2016, 2016
Herausgeber: Information not available

Modeling organic field effect-transistors with power-law dependent mobility and contact resistance

Autoren: S. Jung, J. W. Jin, V. Mosser, Y. Bonnassieux and G. Horowitz
Veröffentlicht in: International Thin-Film Transistor Conference (ITC) 2016, 2016
Herausgeber: Han-Ping D. Shieh (National Chiao Tung University, Taiwan)

Gate bias dependence of mobility in organic field-effect transistors with Gaussian density-ofstates

Autoren: S. Jung, J. W. Jin, Y. Bonnassieux and G. Horowitz
Veröffentlicht in: International Conference on Organic Electronics (ICOE), Bratislava, Slovakia, June 13-15 (2016), 2016
Herausgeber: Martin Weis

Design Tools for TFT Circuits and Systems

Autoren: A. Nathan
Veröffentlicht in: 7th International Conference on CAD for TFT transistors, Beijing (China) October 2015, 2015
Herausgeber: Information not available

TCAD for Compact Model Development Get Real”, 7th International Conference on CAD for TFT transistors

Autoren: A. Nejim
Veröffentlicht in: 7th International Conference on CAD for TFT transistors, Beijing (China) October 2015, 2015
Herausgeber: Information not available

N-type organic field-effect transistors with high performance and low operation voltage

Autoren: S. Jung, M. Al-Bariqi, G. Gruntz, Y. Nicolas, L. Hirsch, T. Toupance, Y. Bonnassieux and G. Horowitz
Veröffentlicht in: International Conference on Organic Electronics (ICOE), Erlangen, Germany, June 15-17 (2015), 2015
Herausgeber: WASET

Recent Progress in TFT Compact Modeling and Parameter Extraction Techniques

Autoren: B. Iñiguez
Veröffentlicht in: 7th International Conference on CAD for TFT transistors, Beijing (China) October 2015, 2015
Herausgeber: Information not available

Oxide thin film transistor technology: Capturing device-circuit interactions

Autoren: Arokia Nathan, Sungsik Lee, Sanghun Jeon, Reza Chaji
Veröffentlicht in: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2015, Seite(n) 6.7.1-6.7.4, ISBN 978-1-4673-9894-7
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM.2015.7409643

Fundamental difference in the electrical characteristics of organic rectifying diodes under non-degenerate and degenerate regime related with a Gaussian density-of-states

Autoren: S. Jung, Y. Bonnassieux and Gi- Horowitz
Veröffentlicht in: European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS), Lille, France, May 11-15 (2015), 2015
Herausgeber: European Materials Research Society

Large Area Electronics: From Devices to Circuits and Systems

Autoren: A. Nathan
Veröffentlicht in: International Conference on Electrical & Electronic Technology, Selangor, Malaysia, August 2016, 2016
Herausgeber: Universiti Putra Malaysia

Device-Circuit Interactions in Thin Film Transistor Circuits and Systems

Autoren: X. Cheng, S. Lee, A. Nathan
Veröffentlicht in: International Thin-Film Transistor Conference (ITC), Hsinchu, Taiwan, February 25-26 (2016), 2016
Herausgeber: National Chiao Tung University

Modeling the variation of threshold voltage, mobility factor and saturation coefficient in amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide thin film transistors

Autoren: Y. Hernandez-Barrios, F. Avila, M. Estrada, A. Cerdeira, O. Moldovan, B. Iniguez, R. Picos
Veröffentlicht in: 2016 13th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control (CCE), 2016, Seite(n) 1-4, ISBN 978-1-5090-3511-3
Herausgeber: IEEE
DOI: 10.1109/ICEEE.2016.7751186

Characterization and modeling of Organic and Oxide Semiconductor TFTs

Autoren: M. Estrada, A. Cerdeira, A. Castro-Carranza, L. F. Marsal, J. Pallarès, and B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Workshop on Flexible Electronics, Tarragona (Spain), June 2016, 2016
Herausgeber: B. Iñiguez (Univ. Rovira i Virgili, Spain)

TFT Circuit Building Blocks and Design Tools for Flexible Electronics

Autoren: A. Nathan
Veröffentlicht in: Workshop on Flexible Electronics, Tarragona (Spain), June 29 2016, 2016
Herausgeber: Benjamin Iniguez, Universitat Rovira i Virgili, Spain

Compact modeling approaches for organic and oxide TFTs

Autoren: B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Compact modeling approaches for organic and oxide TFTs,” MOS-AK Workshop, Dresden (Germany), March 18 2016., 2016
Herausgeber: Wladek Grabinski

Charge-Based Compact Model for DC Current in Organic TFT Including Non-Linear Injection Effects with a Close Link to Electrical Device Parameter

Autoren: Alexander Kloes, Franziska Hain, Michael Graef, B. Iniguez
Veröffentlicht in: Proceedings 231st ECS Meeting, 2017
Herausgeber: The Electrochemical Society

Injection barrier at metal/organic semiconductor junctions with a Gaussian density-of-states

Autoren: Sungyeop Jung, Chang-Hyun Kim, Yvan Bonnassieux, Gilles Horowitz
Veröffentlicht in: Journal of Physics D: Applied Physics, Ausgabe 48/39, 2015, Seite(n) 395103, ISSN 0022-3727
Herausgeber: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/0022-3727/48/39/395103

Charge density increase in submonolayer organic field-effect transistors

Autoren: T. Cramer, A. Kyndiah, A. Kloes, M. Murgia, B. Fraboni, F. Biscarini
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 91/20, 2015, ISSN 1098-0121
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.91.205305

Localized Tail States and Electron Mobility in Amorphous ZnON Thin Film Transistors

Autoren: Sungsik Lee, Arokia Nathan, Yan Ye, Yuzheng Guo, John Robertson
Veröffentlicht in: Scientific Reports, Ausgabe 5, 2015, Seite(n) 13467, ISSN 2045-2322
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/srep13467

Transparent Semiconducting Oxide Technology for Touch Free Interactive Flexible Displays

Autoren: Sungsik Lee, Sanghun Jeon, Reza Chaji, Arokia Nathan
Veröffentlicht in: Proceedings of the IEEE, Ausgabe 103/4, 2015, Seite(n) 644-664, ISSN 0018-9219
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/JPROC.2015.2405767

Deep Subthreshold TFT Operation and Design Window for Analog Gain Stages

Autoren: Xiang Cheng, Sungsik Lee, Arokia Nathan
Veröffentlicht in: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Ausgabe 6, 2018, Seite(n) 195-200, ISSN 2168-6734
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/jeds.2018.2789579

Numerical Modeling of an Organic Electrochemical Transistor

Autoren: Anna Shirinskaya, Gilles Horowitz, Jonathan Rivnay, George Malliaras, Yvan Bonnassieux
Veröffentlicht in: Biosensors, Ausgabe 8/4, 2018, Seite(n) 103, ISSN 2079-6374
Herausgeber: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/bios8040103

Crystalline-like temperature dependence of the electrical characteristics in amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistors

Autoren: M. Estrada, Y. Hernandez-Barrios, A. Cerdeira, F. Ávila-Herrera, J. Tinoco, O. Moldovan, F. Lime, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 135, 2017, Seite(n) 43-48, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2017.06.030

An insight to mobility parameters for AOSTFTs, when the effect of both, localized and free carriers, must be considered to describe the device behavior

Autoren: Y. Hernandez-Barrios, A. Cerdeira, M. Estrada, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 149, 2018, Seite(n) 32-37, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2018.08.006

Employing Pneumatic Nozzle Printing for Controlling the Crystal Growth of Small Molecule Organic Semiconductor for Field-Effect Transistors

Autoren: Shyuan Yang, Steve Park, Johannes Bintinger, Yvan Bonnassieux, John Anthony, Ioannis Kymissis
Veröffentlicht in: Advanced Electronic Materials, Ausgabe 4/6, 2018, Seite(n) 1700534, ISSN 2199-160X
Herausgeber: Wiley online
DOI: 10.1002/aelm.201700534

High-Speed Plastic Integrated Circuits: Process Integration, Design, and Test

Autoren: Miguel Torres-Miranda, Andreas Petritz, Alexander Fian, Christine Prietl, Herbert Gold, Hassan Aboushady, Yvan Bonnassieux, Barbara Stadlober
Veröffentlicht in: IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, Ausgabe 7/1, 2017, Seite(n) 133-146, ISSN 2156-3357
Herausgeber: IEEE Circuits and Systems Society
DOI: 10.1109/jetcas.2016.2611823

Determination and modelin of Flicker Noise mechanisms in polymeric TFTs

Autoren: G. Uriarte, S. Jacob, G. Ghibaudo, T. Gneiting and B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics (submitted), 2019, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics

A complete charge-based capacitance model for IGZO TFTs

Autoren: Oana Moldovan, Alejandra Castro-Carranza, Magali Estrada, Antonio Cerdeira, François Lime, Benjamin Iñiguez
Veröffentlicht in: IEEE Electron Device Letters (revised and re-submitted), 2019, ISSN 0741-3106
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Parameter extraction and modeling of OTFT from 150 to 300 K

Autoren: H. Cortés, S. Jacob, C. Haddad, G. Ghibaudo, F. Mohamed, M. Estrada, A. Cerdeira, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics (submitted), 2019, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics

Analysis of Flicker Noise in IGZO ESL TFTs

Autoren: G. Uriarte, T. Gneiting and B. Iñiguez
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices (submitted), 2019, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Flicker noise analysis and unified modeling for ESL a- IGZO TFTs from 298 to 333 K

Autoren: W. E. Muhea, T. Gneiting, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics (submitted, under revision), 2019, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics

Analysis and compact modelin of gate capacitance in Organic Thin Film Transistors

Autoren: H. Cortés, S. Jacob, F. Mohamed, G. Ghibaudo, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices (revised and re-submitted), 2019, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Modelling and optimization of quantum dot–based hybrid light emitting diodes using Silvaco’s software

Autoren: I. Arroyo, B. Iñiguez, T. Drevon, A. Plews, A. Nejim
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics (submitted), 2019, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics

1/f noise analysis in high mobility small-molecule Organic Thin Film Transistors (in preparation)

Autoren: Wondwosen E. Muhea, K. Romanjek, X. Mescot, C. G. Theodorou, M. Charbonneau, F. Mohamed, G. Ghibaudo, B. Iñiguez
Veröffentlicht in: IEEE Electron Device Letters (in preparation), 2019, ISSN 0741-3106
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers

A TIPS-TPDO-tetraCN-Based n -Type Organic Field-Effect Transistor with a Cross-linked PMMA Polymer Gate Dielectric

Autoren: Sungyeop Jung, Mohammed Albariqi, Guillaume Gruntz, Thamer Al-Hathal, Alba Peinado, Enric Garcia-Caurel, Yohann Nicolas, Thierry Toupance, Yvan Bonnassieux, Gilles Horowitz
Veröffentlicht in: ACS Applied Materials & Interfaces, Ausgabe 8/23, 2016, Seite(n) 14701-14708, ISSN 1944-8244
Herausgeber: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acsami.6b00480

Subthreshold Schottky-barrier thin-film transistors with ultralow power and high intrinsic gain

Autoren: Sungsik Lee, Arokia Nathan
Veröffentlicht in: Science, Ausgabe 354/6310, 2016, Seite(n) 302-304, ISSN 0036-8075
Herausgeber: American Association for the Advancement of Science
DOI: 10.1126/science.aah5035

A compact model and direct parameters extraction techniques For amorphous gallium-indium-zinc-oxide thin film transistors

Autoren: Oana Moldovan, Alejandra Castro-Carranza, Antonio Cerdeira, Magali Estrada, Pedro Barquinha, Rodrigo Martins, Elvira Fortunato, Slobodan Miljakovic, Benjamin Iñiguez
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 126, 2016, Seite(n) 81-86, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2016.09.011

Fundamental insights into the threshold characteristics of organic field-effect transistors

Autoren: Sungyeop Jung, Chang-Hyun Kim, Yvan Bonnassieux, Gilles Horowitz
Veröffentlicht in: Journal of Physics D: Applied Physics, Ausgabe 48/3, 2015, Seite(n) 035106, ISSN 0022-3727
Herausgeber: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/0022-3727/48/3/035106

TFT Compact Modeling

Autoren: Xiang Cheng, Sungsik Lee, Guangyu Yao, Arokia Nathan
Veröffentlicht in: Journal of Display Technology, Ausgabe 12/9, 2016, Seite(n) 898-906, ISSN 1551-319X
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/JDT.2016.2556980

Device-Circuit Interactions and Impact on TFT Circuit-System Design

Autoren: Xiang Cheng, Sungsik Lee, Reza Chaji, Arokia Nathan
Veröffentlicht in: IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, 2016, Seite(n) 1-10, ISSN 2156-3357
Herausgeber: IEEE Circuits and Systems Society
DOI: 10.1109/JETCAS.2016.2621348

Universal Compact Model for Organic Solar Cell

Autoren: Jong W. Jin, Sungyeop Jung, Yvan Bonnassieux, Gilles Horowitz, Alexandra Stamateri, Christos Kapnopoulos, Argiris Laskarakis, Stergios Logothetidis
Veröffentlicht in: IEEE Transactions on Electron Devices, Ausgabe 63/10, 2016, Seite(n) 4053-4059, ISSN 0018-9383
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/TED.2016.2598793

TFT Small Signal Model and Analysis

Autoren: Xiang Cheng, Sungsik Lee, Arokia Nathan
Veröffentlicht in: IEEE Electron Device Letters, Ausgabe 37/7, 2016, Seite(n) 890-893, ISSN 0741-3106
Herausgeber: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/LED.2016.2575924

On the series resistance in staggered amorphous thin film transistors

Autoren: Antonio Cerdeira, Magali Estrada, Lluis F. Marsal, Josep Pallares, Benjamín Iñiguez
Veröffentlicht in: Microelectronics Reliability, Ausgabe 63, 2016, Seite(n) 325-335, ISSN 0026-2714
Herausgeber: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.microrel.2016.05.005

Conduction Threshold in Accumulation-Mode InGaZnO Thin Film Transistors

Autoren: Sungsik Lee, Arokia Nathan
Veröffentlicht in: Scientific Reports, Ausgabe 6, 2016, Seite(n) 22567, ISSN 2045-2322
Herausgeber: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/srep22567

An approach to organic field-effect transistor above-threshold drains current compact modeling that provides monotonic decrease of the output conductance with drain bias increasing

Autoren: V O Turin, B A Rakhmatov, C H Kim, B Iñiguez
Veröffentlicht in: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Ausgabe 151, 2016, Seite(n) 012044, ISSN 1757-8981
Herausgeber: IOPScience
DOI: 10.1088/1757-899X/151/1/012044

Charge based, continuous compact model for the channel current in organic thin-film transistors for all regions of operation

Autoren: Franziska Hain, Michael Graef, Benjamín Iñíguez, Alexander Kloes
Veröffentlicht in: Solid-State Electronics, Ausgabe 133, 2017, Seite(n) 17-24, ISSN 0038-1101
Herausgeber: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2017.04.002

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