Energy losses in nitride light-emitting diodes

Projektinformationen

NITRIDE-SRH

ID Finanzhilfevereinbarung: 657054

DOI

10.3030/657054

Projekt abgeschlossen

EK-Unterschriftsdatum 17 März 2015

Startdatum 1 Mai 2015

Enddatum 31 Januar 2017

Finanziert unter

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Gesamtkosten

€ 114 432,15

EU-Beitrag

€ 114 432,15

Koordiniert durch

VALSTYBINIS MOKSLINIU TYRIMU INSTITUTAS FIZINIU IR TECHNOLOGIJOS MOKSLU CENTRAS
Lithuania

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Veröffentlichungen

Peer reviewed articles (10)

Zn vacancy-donor impurity complexes in ZnO

Autoren: Y. K. Frodason, K. M. Johansen, T. S. Bjørheim, B. G. Svensson, A. Alkauskas
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 97/10, 2018, ISSN 2469-9950
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.97.104109

Iron as a source of efficient Shockley-Read-Hall recombination in GaN

Autoren: Darshana Wickramaratne, Jimmy-Xuan Shen, Cyrus E. Dreyer, Manuel Engel, Martijn Marsman, Georg Kresse, Saulius Marcinkevičius, Audrius Alkauskas, Chris G. Van de Walle
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 109/16, 2016, Seite(n) 162107, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4964831

Defect identification based on first-principles calculations for deep level transient spectroscopy

Autoren: Darshana Wickramaratne, Cyrus E. Dreyer, Bartomeu Monserrat, Jimmy-Xuan Shen, John L. Lyons, Audrius Alkauskas, Chris G. Van de Walle
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 113/19, 2018, Seite(n) 192106, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5047808

Calcium as a nonradiative recombination center in InGaN

Autoren: Jimmy-Xuan Shen, Darshana Wickramaratne, Cyrus E. Dreyer, Audrius Alkauskas, Erin Young, James S. Speck, Chris G. Van de Walle
Veröffentlicht in: Applied Physics Express, Ausgabe 10/2, 2017, Seite(n) 021001, ISSN 1882-0778
Herausgeber: Japan Soc of Applied Physics
DOI: 10.7567/APEX.10.021001

Negative- U and polaronic behavior of the Zn-O divacancy in ZnO

Autoren: Y. K. Frodason, K. M. Johansen, A. Alkauskas, L. Vines
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 99/17, 2019, ISSN 2469-9950
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.99.174106

Zn vacancy as a polaronic hole trap in ZnO

Autoren: Ymir K. Frodason, Klaus M. Johansen, Tor S. Bjørheim, Bengt G. Svensson, and Audrius Alkauskas
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 95/9, 2017, ISSN 2469-9950
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.95.094105

Gallium vacancy complexes as a cause of Shockley-Read-Hall recombination in III-nitride light emitters

Autoren: Cyrus E. Dreyer, Audrius Alkauskas, John L. Lyons, James S. Speck, Chris G. Van de Walle
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 108/14, 2016, Seite(n) 141101, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4942674

Tutorial: Defects in semiconductors—Combining experiment and theory

Autoren: Audrius Alkauskas, Matthew D. McCluskey, Chris G. Van de Walle
Veröffentlicht in: Journal of Applied Physics, Ausgabe 119/18, 2016, Seite(n) 181101, ISSN 0021-8979
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4948245

Deep donor state of the copper acceptor as a source of green luminescence in ZnO

Autoren: J. L. Lyons, A. Alkauskas, A. Janotti, C. G. Van de Walle
Veröffentlicht in: Applied Physics Letters, Ausgabe 111/4, 2017, Seite(n) 042101, ISSN 0003-6951
Herausgeber: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4995404

Role of excited states in Shockley-Read-Hall recombination in wide-band-gap semiconductors

Autoren: Audrius Alkauskas, Cyrus E. Dreyer, John L. Lyons, Chris G. Van de Walle
Veröffentlicht in: Physical Review B, Ausgabe 93/20, 2016, Seite(n) 201304, ISSN 2469-9950
Herausgeber: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.93.201304