Energy losses in nitride light-emitting diodes

Informazioni relative al progetto

NITRIDE-SRH

ID dell’accordo di sovvenzione: 657054

DOI

10.3030/657054

Progetto chiuso

Data della firma CE 17 Marzo 2015

Data di avvio 1 Maggio 2015

Data di completamento 31 Gennaio 2017

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Costo totale

€ 114 432,15

Contributo UE

€ 114 432,15

Coordinato da

VALSTYBINIS MOKSLINIU TYRIMU INSTITUTAS FIZINIU IR TECHNOLOGIJOS MOKSLU CENTRAS
Lithuania

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Pubblicazioni

Peer reviewed articles (10)

Zn vacancy-donor impurity complexes in ZnO

Autori: Y. K. Frodason, K. M. Johansen, T. S. Bjørheim, B. G. Svensson, A. Alkauskas
Pubblicato in: Physical Review B, Numero 97/10, 2018, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.97.104109

Iron as a source of efficient Shockley-Read-Hall recombination in GaN

Autori: Darshana Wickramaratne, Jimmy-Xuan Shen, Cyrus E. Dreyer, Manuel Engel, Martijn Marsman, Georg Kresse, Saulius Marcinkevičius, Audrius Alkauskas, Chris G. Van de Walle
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 109/16, 2016, Pagina/e 162107, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4964831

Defect identification based on first-principles calculations for deep level transient spectroscopy

Autori: Darshana Wickramaratne, Cyrus E. Dreyer, Bartomeu Monserrat, Jimmy-Xuan Shen, John L. Lyons, Audrius Alkauskas, Chris G. Van de Walle
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 113/19, 2018, Pagina/e 192106, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5047808

Calcium as a nonradiative recombination center in InGaN

Autori: Jimmy-Xuan Shen, Darshana Wickramaratne, Cyrus E. Dreyer, Audrius Alkauskas, Erin Young, James S. Speck, Chris G. Van de Walle
Pubblicato in: Applied Physics Express, Numero 10/2, 2017, Pagina/e 021001, ISSN 1882-0778
Editore: Japan Soc of Applied Physics
DOI: 10.7567/APEX.10.021001

Negative- U and polaronic behavior of the Zn-O divacancy in ZnO

Autori: Y. K. Frodason, K. M. Johansen, A. Alkauskas, L. Vines
Pubblicato in: Physical Review B, Numero 99/17, 2019, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.99.174106

Zn vacancy as a polaronic hole trap in ZnO

Autori: Ymir K. Frodason, Klaus M. Johansen, Tor S. Bjørheim, Bengt G. Svensson, and Audrius Alkauskas
Pubblicato in: Physical Review B, Numero 95/9, 2017, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.95.094105

Gallium vacancy complexes as a cause of Shockley-Read-Hall recombination in III-nitride light emitters

Autori: Cyrus E. Dreyer, Audrius Alkauskas, John L. Lyons, James S. Speck, Chris G. Van de Walle
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 108/14, 2016, Pagina/e 141101, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4942674

Tutorial: Defects in semiconductors—Combining experiment and theory

Autori: Audrius Alkauskas, Matthew D. McCluskey, Chris G. Van de Walle
Pubblicato in: Journal of Applied Physics, Numero 119/18, 2016, Pagina/e 181101, ISSN 0021-8979
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4948245

Deep donor state of the copper acceptor as a source of green luminescence in ZnO

Autori: J. L. Lyons, A. Alkauskas, A. Janotti, C. G. Van de Walle
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 111/4, 2017, Pagina/e 042101, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4995404

Role of excited states in Shockley-Read-Hall recombination in wide-band-gap semiconductors

Autori: Audrius Alkauskas, Cyrus E. Dreyer, John L. Lyons, Chris G. Van de Walle
Pubblicato in: Physical Review B, Numero 93/20, 2016, Pagina/e 201304, ISSN 2469-9950
Editore: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.93.201304